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따른 전류 값을 이용해 다이오드의 특성곡선을 그려 문턱전압에 대한 이론과 비교해보고 DC 저항과 AC 저항의 값을 확인하여 보았다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
결론
(별지)측정 Datasheet
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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전자식 측정 기기의 한 종류다. 여러 개의 디지털 신호를 측정하기 위한 포트를 지원하여 아날로그 신호와 동시에 디지털 신호를 동 시간에 비교 표시한다. 로직 분석기를 대체하기도 한다. 오실로스코프는 전자공학의 핵심 장비로 사용하며,
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단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datasheet 5
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결과파형을 각 주파수에 따라 도시하시오.
2. 실험과정 5.2의 결과를 나타내시오.
3. 실험과정 5.3의 결과를 다음의 표에 기록하시오.
4. 실험과정 5.1을 RL회로에 대해 실험한 후 각 주파수에 따라 결과파형을 도시하시오.
5. 실험과정 5.3을 RL회
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측정되었다.
(b) FET을 바꾸어 다시 측정하여 본 결과 전압이 9.95 V로 증가되어서 측정 되었다. (a)의 결과는 2.48 V였는데 대략 3.5 V정도의 증가를 보였다. 이 러한 이유로는 처음 사용한 FET이 처음 실험중 회로 설계시 사용한 것으로 그때 변화가
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5.4.2 병렬 연결
[ I2 전류 사진 ]
[표 5-3] 병렬 연결 실험
전체 저항 ( RT )
전류 I
이론값
측정값
[%]오차
I
I1
I2
I3
54.54[Ω]
54.00[Ω]
0.99[%]
91.33 [mA]
50.33 [mA]
25.11 [mA]
17.05 [mA]
전압
ⓐ ~ ⓑ 간의 전압
ⓒ ~ ⓓ 간의 전압
4.99 [V]
4.99 [V]
5.6 결과 검토
[그림 5-8
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중에 하나를 겪으면서 하나를 더 배워가는 계기가 된 것 같다. 이로써 논리게이트를 이해하는데 한 발 더 다가갔다는 점이 너무 좋았다. 실험 주제
실험에 사용된 부품
실험 회로도
데이터 및 관찰내용
결과 및 결론
비고 및 고찰
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측정하지 못하기 때문에 실험에 오차가 발생할 가능성이 존재했었는데 오실로스코프의 주파수, 듀티사이클 측정 기능을 이용하지 않고 커서를 이용하여 눈대중으로 측정하여 계산했기 때문에 이론값과 다소 큰 오차를 갖는 결과값을 얻었다
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결과 프로브의 문제였는데, 결국 회로를 측정할 때 프로브대신 집게선을 사용하여 측정하였다. 실험을 할 때 캐패시터와 인덕터의 정확한 값을 측정할 수 없어 이론값으로 대체하여 결과를 작성하였다. 오차는 별로 나지 않을 것이라 생각한
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