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다이오드의 순방향 바이어스(Forward Bias)때의 저항값은 아주 작아 전류를 흐르도록 하기에 적합하며, 역방향 바이어스(Reverse Bias)때의 저항값은 매우 커서 전류의 흐름을 제어할 수 있다. 이와 같이 반도체 다이오드는 단방향적 특성을 가지므
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http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
실험 방법
시뮬레이션 결과
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의 영역을 공핍층이라 한다.
순방향 다이오드 : P영역에서 양(+)의 전압을 N영역에 (-)의 전압이 인가된 상태를 순방향 (forward) 바이어스가 인가 되었다고 함
역방향 다이오드 : P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를 역
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특성은 과전류나 갑작스런 전류의 흐름으로 인한 소자의 파괴 등을 보호하기 위한 목적으로 보호회로에서 많이 사용된다.
ⓑ 5번 실험 회로
실험 5의 회로는 순방향 회로이다. 이는 전류가 흐르도록 다이오드를 연결하는 것을 말한다. n형 반
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다이오드의 저항: = = 585.191K
▶ 순방향에 비해 역방향 바이어스일 때 다이오드의 저항이 매우 크게 계산 되었다.
실제로 멀티미터로 다이오드의 저항을 측정할 때 위와 비슷한 값이 나와야 할 것이다.
(2) 전압-전류 특성
▶ 순방향 바이어스일
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