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다이오드의 소자를 이해하고 특성을 알아보았다. Si 다이오드와 Ge 다이오드 두 가지를 이용하여 다이오드마다 다른 문턱전압을 이해하고 다이오드가 역방향과 순방향으로 상태 되었을 때의 차이를 공부했다. 또 다이오드에 걸리는 전압에 따
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다이오드에 직렬 저항을 연결하는 이유
앞에서 말한바와 같이 제너다이오드의 특성은, 작은 역전압을 걸때에는 불통상태에 있다가 특정 전압 이상이 걸리면 갑자기 흐르는 전류가 증가하여 제너다이오드 양단의 단자 전압을 특정 전압 보다
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다이오드의 순방향 바이어스(Forward Bias)때의 저항값은 아주 작아 전류를 흐르도록 하기에 적합하며, 역방향 바이어스(Reverse Bias)때의 저항값은 매우 커서 전류의 흐름을 제어할 수 있다. 이와 같이 반도체 다이오드는 단방향적 특성을 가지므
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(b) 그림참조
(c)
2-20는 MOSFET 내부의 느린 특성의 다이오드이며, 는 MOSFET에 별
도로 추가되는 고속의 다이오드이다.
로 흐르려는 전류는 으로 차단되고, 그 전류는 로 흐른다. 즉, 에는 전류가 흐를 일이 없다. [다음 그림 참조] 연습문제
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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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