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회로 역시 간단했기 때문에 쉽게 할 수 있었다. 질문 및 토의 과정을 하면서 전압계와 전류계의 사용법과 원리에 대해 보다 자세히 이해할 수 있었던 점이 좋았다. 1.측정값
a.직렬연결
b.병렬연결
2.실험결과
a.직렬연결
b.병렬연결
3
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회로에서 이 므로 9mA +4mA + 2mA = 15mA이다. ()이므로 실험에 사용했던 1K, 2.2K 4.7K의 병렬 회로의 합성저항값은
이다. 따라서 V = IR의 수식에 대입해보면 V =15mA × 600Ω 즉, 9V로 계산되었다. 과정9에서 측정된 전압 VPS는 9V 이므로 계산값과 측정값이
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실험결과
1) 실험 1 : Fixed-Bias를 이용하여 β값 구하기
≪ 그 림 ≫
≪ 표 - 그림 파일 ≫
실험결과분석 : Fixed-bais 회로를 이용하여 구한 β값은 197.4174의 값이였다.
β=I_c/I_b 로 구할 수 있으며 이 β는 앞으로의
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실험제목
●목적
●실험재료
●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
2. 컬렉터 특성(VCE-IC)을 위한 실험회로
●실험순서
●실험데이터
<표 10.1 VCE 대 IC 측정>
<표10.1의 데이터를 이용한 에미터 공통연결에 대한
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수 있다.
▶ 입력전류(위) 출력전류(아래)의 시뮬레이션이다. 입력은 약 25uA 의 크기를 가지고 출력은 약 800uA의 크기를 가진다. 약 30의 전류이득이 있는 것을 볼 수 있다. 1. 목적
2. 기초이론
3. 실험방법
4. 예상결론 및 Pspice Simulation
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실험으로 인해 저항값과 옴의 법칙에 대해 다시 한번 더 복습할 수 있는 시간 이였으며, 다이오드의 특성에 대해 알아보는 유익한 시간이였다.
4. 참 고 자 료
① 회로해석 / Johnson 외 3명 / Prentice Hall
② 회로이론 / 김동희 외 2명 / 인터비젼
③ h
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Chapter 3. 결론 및 Discussion
이번 실험에서는 인덕터와 케패시터의 교류 회로에서의 특징을 알아보는 실험이었다. RC, RL 직렬회로에서 오실로스코프를 통해 Vc, Vr 사이의 위상차를 구하고 저항에 작용하는 전압인 Vr를 구해 저항전류를 구한 후
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확인문제 및 실험의 응용
- 확인문제 1
회로에서 미지의 전류를 구할 때, 미지 전류의 방향은 일반적으로 임의로 설정한다. 그 후 KCL을적용하여 그 크기를 구하고 만약 그 값이 양 또는 음이라면 전류의 기준방향과 시제 전류의 방향은 어떤 상
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실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가
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회로 3개를 만들며 돌게 됩니다.
MOSFET S가 오프되고 다이오프 가 온되고, 다이오드 가 오프되는 구간 동안 를 통해서만 돌게 됩니다.
시뮬레이션 결과와 그 밑의 값을 통해 이론값과 실험값이 일치하여 나왔음을 볼 수 있었습니다.
3. 참고문헌
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