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실험결과분석 : Fixed-bais 회로를 이용하여 구한 β값은 197.4174의 값이였다.
β=I_c/I_b 로 구할 수 있으며 이 β는 앞으로의 내용에서도 쓰일 것이다. TR AC Bias
1. 실험목적
2. 실험결과
1) 실험 1 : Fixed-Bias를 이용하여 β값 구하기
2)
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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실험 데이터를 실행데이터와 비교하라. 두 데이터 간의 차이가 있는 경우 그 차이를 설명하라.
출처
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, “기초 전자회로 실험“, 인터비젼
http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/04_332/exp12.pdf
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1
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전자빔 증발 증착법
4.4. 스퍼터링- 음극스퍼터링(cathode sputtering)
4.4.1. 직류스퍼터링(DC sputtering)
4.4.2. 고주파 스퍼터링(RF sputtering)
4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)
4.4.4. 이온빔 스퍼트링(Ion Beam Sputtering)
4.4.5. Bias Sputtering
4.5. 이
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실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실
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