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회로의 총 커패시턴스 값이다.
이를 계산하면, 1 / (1150.45×2π×200) = 0.0692μF 이다.
세 값이 근사하므로, 직렬연결한 커패시터의 총 커패시턴스는
CT = C1 + C2 + C3 + …
임을 실험적으로 입증하였다. ① 커패시턴스의 직렬 연결
② 커패시턴스의
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구조가 TTL이면서도 3.3V, 2.5V, 1.8V와 같이 저전압에서 동작하
는 소자들도 있는데 이것들은 저전압형의 마이크로프로세서들이 많아짐과 함께 점차 사용이
늘어나고 있다. 1. 실험목표
2. 관련이론
3. 데이터 시트
4. PSpice 시뮬레이션
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본
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0° 이다.
< 4. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN,
PEARSON PRENTICE HALL, 2010. < 1. 목 적 >
< 2. 이 론 >
< 3. 실험 과정 및 실험 결과 예상 (시뮬레이션) >
< 4. 참 고 문 헌 >
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와 전압도 측정하여 기록한다.
⑦ {표 2}에 계산값을 기록하고 실험에서 얻은 값과 비교한다.
⑧ 전압을 20로 하고 과정 ⑥, ⑦을 반복한다. 전류 및 전압 측정
목적
이론
1.전류계 연결법
2.전압계 연결법
3.전기분압기 회로
방법
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2.6338
4.8056
5.8506
3.1210
3.8478
평균
2.6339
4.8057
5.8507333...
3.1211
3.8479333...
<2번 각 저항에 걸린 전압값> < 회로와 기본법칙 >
*목적
*시료 및 사용기기
*실험순서 및 결과
- 오옴의 법칙
-키르히호프의 전압법칙
검토사항
*개인의견
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다음과 같다.
※ 위에서 구성한 3-input OR, NAND, NOR gate들이 모두 잘 동작하는 것을
알 수 있다.
(3) 그림 2의 회로를 구성 L-9
워크밴치 이용
2-INPUT AND gate
3-input AND gate
3-input OR, NAND, NOR gate
De Morgan's theory를 증명하고 설명
e Morgan's theory
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참고문헌 : 신회로이론 ( 출판사 : 문운당, 발행년도 : 2000년 1월 25일, 저자 : 박송배
페이지 : 39page~45page, 46page) (1) 실험제목 :
(2) 실험목적 :
(3) 관련이론 :
(4) 예상결과 :
(5) 참고문헌 :
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실험이론에 의하면 멀티미터에 흐르는 Rv때문에 전체 전압은 이론치보다 작아지게 되는데 측정치는 작아지는 값도 있고 늘어나는 값도 있다. 그것은 저항의 값이 정확히 이론치와 동일해야 한다는 조건하에 이루어지는 것이기 때문에 오차가
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위상을 비교
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘주파수 응답’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005
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