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실험을 반복한다.
③, 및 의 저항값을 기록하고 건전지의 전압을 측정, 기록한다. 이 값을 이용해서 키르히호프 제2법칙을 확인한다. 위의 회로에서는 두 회로로 나누어 생각할 수 있다.
(바깥쪽 회로)
(안쪽의 오른쪽 회로)
위의 식을 연립해서
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측정하시오.
: 이론값 7.5 2.5
(5) (4)에서 조절한 가변저항을 이용하여 [그림 4]와 같이 회로를 결선하시오. 입력전압은 (1)의 값을 사용한다.
(6) 전류 과 를 측정하시오.
: 이론값 1.333 4
4.3 KVL/KCL 법칙
<실험 개요>
① DC power supply, Multi-meter 그
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측정한다.
(6) 각 저항 양단의 전위차 대 전류 그래프를 그리고, 최소제곱법을 이용해 , , 와 를 구한다.
(7) 색코드의 저항값, 실험 저항값, 그리고 멀티미터로 측정한 저항값을 비교한다.
실험2. 병렬회로
(1) 그림 24.2와 같이 병렬회로를 구성한
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실험 이였다. 우선 표1-1의 결과값을 보면, 과정 2에서 다이오드에 측정되는 전압이 0.7V가 되도록 순방향 바이어스를 가했을 때, 다이오드에 흐르는 전류가 8.34mA 가 측정 되었다. 측정된 전류와 전압으로 구한 다이오드 저항이 4.89Ω이다. 과정 3
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저항을 많이 받았다고 볼 수 있다. 그러므로 가벼운 물체는 낙하하는 동안 공기 저항을 받아 낙하시간 t가 이론보다 길어져 가속도가 작게 측정되어 오차가 크게 발생함을 알 수 있다.
실험 각각의 오차요인으로는 낙하거리 를 측정 하는 데
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측정 시 실효치(최대치(Vp)0.707)을 지시한다.
⑧ 눈금판 : 약 90mm 90 원호 및 칼날 지침의 눈금판은 판독하기가 쉬우며 눈금 간의 간격이 넓어 정밀 측정이 가능하다.
⑨ 케이스 : 고 충격성 방지하기 위한 플라스틱 케이스이다.
▶ 실험방법
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실험은 bread board를 이용하여 직,병렬 회로를 구성하고 측정해보는 실험이였다. 실험에 들어가기에 앞서 이론적인 판독법을 통해 전류, 전압, 저항의 관계를 알 수 있었다. 또 병렬 회로와 직렬 회로의 차이점에 대해서 알 수 있었다. 병렬 회로
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측정한 내부저항값이 테브낭 저항값이 된다.
4)이렇게 구한 전압값과 저항값이 테브낭등가회로를 구성하는 전압원과 저항값이 되는 것이다.
그 것에 대한 다른 결과는 <표 12-2>와 <표 12-3>의 결과를 통해 확인할 수 있다.
이번 실험의
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저항이 큰 경우가 작은 경우보다 이 더 커짐을 알 수 있다.
3. 실험 방법
(1) 테브난의 정리
1) 그림 8.6과 같이 회로를 구성하라.
1) 단, , , , 으로 하라.
2) 스위치 을 닫아라.
3) a, b 단자의 전압을 측정하여 표 8.1에 기록하라.
4) 스위치 을 열고 스
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저항
(3)
직류 해석
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
3. 실험
3-1 실험부품
저항 : 100Ω, 33KΩ, 1KΩ, 10KΩ
커패시터 : 1uF, 10uF
트랜지스터 : 2N3906
3-2 실험절차
① P.87의 그림 10-2의 회로를 구성한다.
② 그림 10-2 회로에 대한 DC 파라미터들을 계산하고, 측정
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