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실험장비 및 기구
① 콘덴서 충방전 용 측정 명판
② 전원장치
③ 콘덴서 팩
④ 저항팩
⑤ 스톱워치
⑥ 디지털 멀티메타 혹은 검류계
⑦ 전류측정용 저항
4. 실험방법
①위 그림과 같이 전원장치, 저항, 콘덴서, 전류계 및 전압계 등을 설치한다
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저항을 측정하면 전류가 흘러야 되기 때문에 저항이 낮게 측정되며, 반대로 역방향 쪽으로는 전류가 흐르는 것을 차단해야 되기 때문에 저항이 거의 무한대거나 높은 저항이 측정되게 된다. 1. 실험 목적
2. 관련 이론
(1) 반도체[semiconduc
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실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 피라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다.
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실험에서는 연산 증폭기의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 대역폭, 옵셋 전압, 슬루율 등 기본적인 성능 피라미터들을 익히고 실험을 통해서 측정하여, 이를 바탕으로 연산 증폭기를 이용한 회로를 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다.
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실험에서 얻어지는 시간상수()를 결정하고, 계산값과 비교해본다.
12) 저항과 커패시터를 바꾸어 가면서 위의 실험을 반복한다.
13) 저장한 데이터들을 엑셀 등의 프로그램을 이용하여 시간-전압 그래프로 그린다. 이때 하나의 그래프에 각각의
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검토 및 토의
실험5의 목적은 옴의 법칙을 이용하여 저항기의 직,병렬 회로에서 전압 강하와 상승을 이해 하고,전류 측정법을 익히고, 회로상에 분류기와 분압기를 첨가하여 전류계와 전압계의 동작범위를 조절하는 방법을 배우는 것 이였다
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아래의 사진과 같다.
두 번째 실험에서와 Vc의 파형은 아래의 사진과같다.
세 번재 실험을 하였을 때, critical damping이 일어나는 경우의 측정 저항 값은 1.9kΩ 이었으며, 10kΩ이었을 때와 비교한 Vc의 파형은 아래의 사진과 같았다.
10kΩ저항 critic
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저항으로 이루어진 회로로 간단히 만들 수 있는데, 실험 결과에서 보듯이, 복잡한 회로나 간단히 이루어진 회로나 측정값은 거의 동일한 것을 알 수 있다.
실험 결과를 보면, Thevenin 회로는 오차가 약간 나왔는데, 그에 비해 Norton의 회로는 오
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저항 R이다.
→ 전원을 떼어 그 자리를 선으로 이은 후 a-b사이의 저항을 측정하기 위해 위와 같이 회로를 정리하고 DMM으로 저항을 측정하여 R를 구한다.
5.3 실험계획 3.1의 계산값 V와 R를 실험 4.2, 4.3의 결과와 비교, 분석하라. 오차(%)를 계산하
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저항을 살펴보자. 표기상으론 200Ω이지만, 실제 측정한 결과는 195.1Ω이다. 저항의 상대오차값을 구해보면
으로 오차범위 내에 들어감을 알 수 있다.
저항이 옴의 법칙을 만족하는가? 실험 데이터를 토대로 답해 보자. 만족하지 않는다면 그
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