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바이어스 회로가 초기온도 T0에서 위 <그림 5-2>과 같이 안정화 되었다고 가정한다. 만일 주위 온도가 T0에서 T1으로 상승하게 되면 트랜지스터의 βDC 는 증가하고 VBE는 감소하게 되므로, βDC 의 증가는 컬렉터전류의 증가를 유발하고 VBE의
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바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
3. 전압 분배기 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
4. 바이어스 동작점의 안정성을 이해한다.
5. Current Mirror 회로의 동작점을 이해한다.
BJT(Bipolar Junction Transistor)의 기초
이미터(Emitter) : 불순물을
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바이어스 이지만 J2는 gate에 -전압이 걸리기 전까지는 역방향 바이어스 이다.
그림 7-2는 PUT의 작동을 보여준다. PUT가 off될때 gate저항 RG에 의해 +VCC가 걸리고 같은 전압이 anode에 걸린다. PUT에 전류는 흐르지 않는다. T1일때 gate에 -전류를 주면 PUT
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바이어스
Forward Biased
순방향 바이어스
Saturation Mode
포화 상태
스위치 작용 (ON)
Reverse Biased
역방향 바이어스
Reverse Biased
역방향 바이어스
Cut-off Mode
차단 상태
스위치 작용 (OFF)
3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
일 때 컬렉터는 역방향 바이
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트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT
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