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론
이 실험에서는 트랜지스터의 동작 특성에 대해 실험하였는데 트랜지스터를 이용하여 이미터, 컬렉터, 베이스 사이의 전류를 측정하고 베이스 전류에 따라 입력되는 전압에 따라 측정되어 나오는 출력 값이 다르다는 것을 알 수 있었고 그
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접합에 도착한 전자는 공핍층의 전기장에 끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한다. 그러므로 이미터 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 흐르고, 그 양은 B-E 접합의 순방향 전압 VBE에 의해 자유롭게 조절할 수 있다.
(BJT 바이폴라접
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바이폴라 접합 트랜지스터는 반도체의 PN접합을 사용하여 증폭작용을 하도록 만든 능동소자로서 접합 형식에 따라 NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터로 구별되고 증폭기로 사용할 때에는 입력과 출력에 공통으로 사용하는 단자에 따라 Common Emitte
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접합 관리와 접합 전류 확인
a) V-를 -5V까지 올리고 VB, VE, VC 그리고 VBE를 측정하여라. β와 α를 계산하여라.
VB
VE
VC
VBE
IB
IC
IE
α
β
-0.55V
-1.14V
6.66V
0.59V
0.055mA
0.334mA
0.389mA
0.876
7.073
b) V-는 -5V이고 V+는 +5V까지 낮추고 다시 측정하여 계산하여라.
VB
VE
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콜렉터 특성곡선
콜렉터 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 그 후에 시켜서 얻는다. Pspice에서 이작업을 할 때 이 순서는 매우 중요하다.
그림 6의 특성곡선은 “”될 때마다 한 개의 곡선이 생긴다.
그림 6에서 각 영역은 다음과 같은 작용을 한
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반도체 소자 (Semiconductor Devices)
□ PN 다이오드의 동작 원리를 설명하시오.
□ Zener 다이오드의 특성과 그 응용에 대해 설명하시오.
□ MOSFET의 구조와 동작 원리를 설명하시오.
□ 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 모드를 설명하시오.
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