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BJT의 단자 연결도를 확인하라 <그림 6>
(2) 트랜지스터의 이미터 접합과 컬렉터 접합의 순방향과 역방향의 저항크기를 측정하여 기록하라.
(3) <그림 7>의 특성 측정을 위한 회로를 구성하고, 와 의 크기를 측정하여 기록하라.
(4) 전원공
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5 pspice 시뮬레이션
1) BJT 전류 전압 특성곡선
2) BJT turn-on voltage
3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(시간에 따른)
4) 3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(전압에 따른)
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회로를 완성한다. 그리고 모든 DC 바이어스를 확인한다.
그림 9. 바이어스의 안정을 위해 Feedback 저항 RE가 연결된 바이어스 회로
RC= 1 ㏀VB= 1.1168 VVC= 5.589 V
IC= 0.4526 ㎃IE= 0.4591 ㎃IB=IE-IC= 0.0065 ㎃ 실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF
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BJT (Bipolar Junction Transistor)
② BJT 동작 및 바이어스
③ 이미터, 컬렉터, 베이스 전류
④ 트랜지스터의 전류 이득
⑤ 평균 컬렉터 특성
⑥ 평균 컬렉터 특성(VCE-IC)을 결정하기 위한 시험 회로 : 점 대 점 방법
① 베타(β) 측정
② VCE 대 IC
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전자는 공핍층의 전기장에 끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한다. 그러므로 이미터 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 흐르고, 그 양은 B-E 접합의 순방향 전압 VBE에 의해 자유롭게 조절할 수 있다.
(BJT 바이폴라접합트랜지스터 :
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