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회로
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 Schematic과 차동모드(Differential-mode)와 동상모드(Comnon-mode)에서 각각 입력-출력전압들(vi+, vi-, vo1, vo2)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적
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변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
무엇보다 FET의 여러 가지 Bias 회로에 대해서 알 수 있었고, 각 Bias 마다 전압의 특성, FET의 용도에 대해 명확히 알 수 있었다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
3. 토의
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실험 목적
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
② 반파 정류기
3. 실험방법
① 다이오드 전압-전류특성 실험
② 반파 정류기 실험
실험결과 및 검토
실험 결과
1. 다이오드 실험 측정 기록표
2. 반파 정류기 실험측정 기록표
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안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다.
전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목
2.목적
3.기본이론
4.실험방법
(1)사용 기계
(2)사용 부품
5.결과 및 고찰
(1)결과
(2) 고찰
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동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
그래도 공통 소스 FET에서 와 이 하는 역할을 알게 되었으며, 보고서 작성중 트랜스컨덕턴스 이 무엇인지 어떠한 기능을 하는지를 명확히 알 수 있었다. 1. 실험결과
2. 검토 및 고찰
3. 토의
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회로를 구성하면 위의 그림과 같이 구성할수 있다. 그리고 각 저항에 흐르는 전력을 계산해 보았으나 모두다 용량을 초과 하는 것이 없으므로 과도한 열이 발생하는 일은 없을것이라 생각된다. 1. 목적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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▶ COM 단자와 접지단자는 서로 연결되어 있지 않기 때문에 저항이 측정되지 않고 에러메시지가 뜨게 될 것이다. 또는 접지선이 존재한다면 측정시 저항은 0(Ω)이 될 것이다. 저항, 전압, 전류의 측정
1. 목 적
2. 실험준비물(1개 조)
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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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ACM이 0이 되어 CMRR값이 무한대가 되지만 실제로는 그럴 수 없게 되는 것이다. 따라서 이 값이 크면 그만큼 증폭률이 좋은 회로임을 알 수 있다 요약문 1
실험내용 2
실험결과 8
문제점 및 애로사항 16
설계프로젝트 진행사항 16
결론 16
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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