|
이온주입 (ION IMPLAN-TATION)공정
회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. 이러한 불순물주입은 고온의 전기로속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확
|
|
|
불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. 이러한 불순물주입은 공온의 전기로속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주 입하는 DIFFUSION(확산) 공정에 의해서도 이루어짐
|
|
|
보관하여야 하는데 그러지 못하였고, 시료 통과 후
건조 후부터는 데시케이터에 보관하여 공기 중의 수분이 흡수되지 않도록 해야 하는데 그렇지 못 한게
실험에 많은 영향을 미친 것 같다. 시료를 통과한 후 건조기가 있는 다름 실험실까지
|
|
|
불순물– 1㎛ 이상의 입자 크기의 입자로 물에 떠다니는
물질을 말한다.
*용해성 불순물- 여과지에 의해서는 1㎛이하 크기의 입자로서
콜로이드도 여기에 포함되나, 일반적으로 콜로이드와 구분하기
위해서는 1㎚이하 크기로
|
|
|
입자가 더욱 고르게 분포 하는 것을 볼 수 있었다. EDS측정 결과 열처리 전 황화철의 경우 소량의 불순물이 발견 되었으며 열처리 후 황화니켈의 경우 불순물 피크가 개선된 것을 볼 수 있었다. 전체 적으로 볼밀링 시간이 길때 물리적 특성이
|
|
메뉴펼치기
