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실험을 끝내고 리포트를 쓰는 와중에서 여러 응용분야에서 넓게 사용되는 브리지회로를 직접 인터넷으로 찾아 봄으로써 어떤어떤 브리지들이 있는지 확인할수 있었고 인지할수 있다는 것이 뜻이 깊다. 확실한 것은 이런 브릿지들은 고장 원
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브리지 회로는 정밀한 저항값 측정을 위해 사용되기 때문에 좀 더 정밀한 저항값을 측정하기 위한 조건으로 감도가 좋은 검류계나 다른 계리를 사용하는 것이 중요한 이유가 된다.
6. 참고문헌 및 사이트
일반물리학실험 / (주)북스힐
회로이
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실험의 회로도를 보았을 때 다이오드가 네 개나 들어가서 어떻게 회로를 구성해야하나 많이 고민했는데 회로도 그대로 짜니 값들이 잘 나와 신기했고 실험에 자신감이 붙었다. 전파브리지 정류회로 실험
1. 실험 목적
2. 실험 기기 및
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하라. 또, 전압계(DMM)의 위치를 명시하라.
3.3 를 구하는 실험회로를 그리고 실험절차를 설명하라. 저항계(DMM)의 위치를 명시하라.
그림 1 브리지회로에서 부분과 전압원을 제거한 후, 남은 부분 (a, b)에 전항 측정모드로 설정한 DMM에 연결한 후
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실험도 오차는 1% 정도로 매우 작았다.
표 5.3 은 노드법과 메쉬법을 확인해 보는 실험이었다. 저항으로만 구성된 브리지 회로에서 한 노드를 reference노드로 잡고 reference 노드와 다른 세노드 간의 전압을 측정했다. 다음으로는 메쉬 전류인 IA, IB
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브리지회로를 구성하여 커패시턴스 값을 측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q
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회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
3.2 아래의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp183-187. 1. 실험 결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문
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3 = 2115.33Ω)
((R2 / R1)값 = 50.22, R3 = 41.9Ω, RX = 2200Ω, (R2 / R1)×R3 = 2104.22Ω)
저항기의 허용 오차 범위 내에서 RX ≒ (R2 / R1) × R3 이므로, 역시 평형 브리지 회로가 올바르게
설계되었음을 알 수 있다.
⑥ 평형 브리지 회로를 이용한 저항측정의 정밀도
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회로를 구성한 후, 함수발생기의 주파수와 가변저항 , 를 변화시키면서 브리지 평형조건을 만족시키는 , 값을 측정 한다. 단, 는 미지의 인덕터의 내부 등가 직렬저항이다.
그림 6. Maxwell-wien bridge 실험 회로
② 동일한 미지의 인덕터에 대해 [그
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브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-
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