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인덕턴스 를 포함하여 [그림 6]의 회로를 구성한 후, 함수발생기의 주파수와 가변저항 , 를 변화시키면서 브리지 평형조건을 만족시키는 , 값을 측정 한다. 단, 는 미지의 인덕터의 내부 등가 직렬저항이다.
그림 6. Maxwell-wien bridge 실험 회로
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브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-
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브리지회로를 구성하여 커패시턴스 값을 측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q
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인덕턴스 결정
2) 과정(2) 직렬연결된 인덕터의 합성 인덕턴스 결정
3) 과정(3) 병렬 연결된 인덕터의 합성 인덕턴스 결정
3. 결과분석 및 검토사항
1) 결과분석
2) 검토사항
4. 토의
1. 제목: 실험17. 브리지에 의한 LC 측정
2.
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회로의 임피던스와 전류전압관계
Ⅳ. 회로의 전류방향
Ⅴ. 브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(휘트스톤브릿지)
Ⅵ. 브리지(브릿지)와 평형브리지(평형브릿지)
Ⅶ. 브리지(브릿지)와 만능브리지(만능브릿지)
1. 저항 계측
2. 인덕턴스
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