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브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커패시터의 D지수 등을 측정하는데 이용될 수 있다.
신
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측정
8. 브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스
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인덕턴스 를 포함하여 [그림 6]의 회로를 구성한 후, 함수발생기의 주파수와 가변저항 , 를 변화시키면서 브리지 평형조건을 만족시키는 , 값을 측정 한다. 단, 는 미지의 인덕터의 내부 등가 직렬저항이다.
그림 6. Maxwell-wien bridge 실험 회로
②
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브리지를 이용하여 인덕턴스, 커패시턴스를 측정하여 원리를 이해하고, 그 방법을 익히는 실험이었다.
실험은 직렬형, 병렬형 비교 브리지와 맥스웰-빈 브리지 실험을 하였고, 헤이브리지는 실험 하지 못했다.
검류계가 없어서 오차도 조금
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브리지, 철손의 측정에 쓰이는 변형헤이브리지 등이 있다. 또, 브리지 4변에 다이오드를 배치한 수백 W 이하의 소용량 전파정류에 쓰이는 단상 브리지 정류회로도 있다. 교류브리지는 임피던스 측정 외에도 주파수 측정 등에 많이 이용되고 있
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