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전력이 줄어들게 됨을 알수있었고 즉 테브난저항의 존재 그 자체때문에 최대전력전달을 50%로 제 한하는 이유가 된다 1. 실험제목
2. 실험목적
3. 관련이론
4. 결선도
5. 실험기기 및 재료
6. 실험방법
7. 실험결과
8. 검토 및 고
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전기전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학
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학 기초실험
chapter8. 직렬회로의 소비전력 결과 레포트
실험결과
※ 직병렬 저항회로의 소비전력 계산
정격값
계산값
측정값
1k
0.989k
2.2k
2.173k
3.3k
3.261k
4.3k
4.212k
1.497
1.481
2.065
1.959
2.065
1.959
6.437
6.383
1.497
1.512
0.558
0.605
0.939
0.910
1.497
1.513
2.241
2.23
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전기-전자 회로를 구성하는 기본 소자인 저항, 인덕터, 커패시터에 대한 전압과 전류 사이의 관계 및
위상 개념을 파악하고, 각 소자의 전기적 특성을 이해한다. 2. 실험 이론
(1) 저항(R) 회로
저항은 전류의 흐름을 방해하며 전력을 소비하
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소비전력도 작다는 사실, 병렬 회로에서 소비 전력을 측정하면 저항이 작을 때 소비전력이 크고, 저항이 클 때는 소비전력이 작게 나온다는 사실이다. 늘 이런 회로가 나오면 뭐가 더 큰지 일일이 계산을 했어야 했는데 이번 실험을 통해서 그
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실험과정 Pspice로 구현
제목 : 실험 24. 중첩의 정리
1. 실험 목적
(1) 중첩의 정리를 실험적으로 입증한다.
2. 관련이론
“전기, 전자 회로에서 여러 개의 전원을 포함할 때 회로 내의 임의의 한 점을 흐르는 전류(혹은 두 점 사이의 전위차)는 모
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소비 전력화한 것이다.
74LS04 : Inverter 게이트(NOT 게이트)
74LS08 : AND 게이트
74LS32 : OR 게이트
2)3색 단심 리드선
4. 예비보고서 문제
(1)에 대한 진리표를 작성하시오. (실험 1 참조)
부울 대수로 간략화하여 논리적의 논리화 형태의 논리회로를 그리
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실험과정 Pspice로 구현
제목 : 실험 24. 중첩의 정리
1. 실험 목적
(1) 중첩의 정리를 실험적으로 입증한다.
2. 관련이론
“전기, 전자 회로에서 여러 개의 전원을 포함할 때 회로 내의 임의의 한 점을 흐르는 전류(혹은 두 점 사이의 전위차)는 모
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회로, 2진 계수회로등에 많이 사용된다.
SRAM
④ 제어용 발진회로 - 일반적인 전기기기에서 필요하지 않은 구간에도 계속 동작 중인 경우에 발생하는 전력소비를 줄이는 방법으로 사용된다. 컴퓨터의 CPU를 예로 들면, CPU는 내부적인 전자신호가
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전자관련 기업들이 앞을 다투어 이와 같은 미래기술에 많은 투자를 하고 있다.
Ⅲ.Reference
알기 쉬운 반도체 세미나/ 정학기/ 성안당/ 2000
고체 전자론 입문/ 김진혁/ 전남대학교 출판부/ 2005
전기전자재료 제16권 제12호 (2003년 12월)
전기전자재
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