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저항 330Ω과 220Ω으로 나누어지므로 IN 의 전류는 다음과 같다.
I = ×3.497 = ×3.497 = 2.098 mA
노튼의 등가 회로로 구성하면 다음과 같다.
아래에 있는 회로에서 IL값을 구하면 다음과 같다.
IL=×IN = ×2.098 = 1.924 mA
R에 흐르는 전압 Vab를 구하면 다음
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저항의 역할을 하기 때문에 그 전원장치가 가지고 있는 저항만큼 계속 꾸준한 오차가 생겼을 것이라고 생각한다. 실험 9. 회로망 정리의 검증 (예비 레포트)
1. 실험 목적
2. 관련 이론
(1) 중첩의 정리
(2) 테브낭의 정리
(3) 노튼의 정
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회로에서 노튼 정전류원 과 노튼 전류원 저항 의 값을 결정한다.
(2) 두 개의 전압원을 갖는 복잡한 직류 회로망 해석에서 과 의 값을 실험적으로 입증한다.
2. 관련이론
노튼의 정리는 복잡한 선형회로의 해석방법으로 사용된다. 노튼의 정리
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노튼의 정리를 이해하고, 실험을 통해 확인한다. (2) 전원이 갖고 있는 내부 저항의 영향이 실험 결과에 미치는 영향을 이해하고 실험을 통해 확인한다. 2. 실험 이론
(1) 테브난의 정리
그림 1(a)와 같이 복잡한 선형회로를 그림 1(b)와 같이 하
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회로와 (b)회로는 등가 회로가 된다.
ex26 노튼의 정리
1. 기초 이론
전원을 포함한 일반적 능동 회로 (a)를 하나의 비종속 전원 INT와 이와 병렬인 하나의
저항 RNT로 구성되어 있는 등가 회로 (b)를 (a)의 노턴 등가 회로라 한다.
a
b
(a) (b)
<그림&g
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선형 부하로는 1kVA 용량의 단상전파 다이오드정류기에 RC 병렬부하를 연결하여 사용하였다. 부하저항으로는 50[Ω]의 저항을 사용하였다.
그림 7은 시뮬레이션에서와 같이 전원전류가 고조파성분을 제거하고 정현파의 형태로 보상됨을 볼 수
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회로 해석의 기본이 되는 키르히호프 전압 법칙, 전류 법칙에 대하여 이해할 수 있었습니다. 회로의 등가회로를 통하여 회로해석 방법에 대하여 배울수 있었고 회로 소자 중 선형 소자인 저항, 캐패시터, 인덕터에 대하여 그 개념에 대하여 공
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선형성, 테브난 정리 등을 배우며 이 또한 직접 풀어보고 실험을 통하여 확인하는 수업을 하였습니다. 마지막으로 에너지 저장소자의 전기특성, 일차 및 이차회로의 해석을 위한 미분방정식을 세우고 회로를 분석하는 방법을 배웠습니다.
전
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