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회로의 노튼등가저항은 얼마인가? (주의 : 최대측정가능전류가 20mA 일 때, 전류계의 저항은 10Ω에 불과하였다.)
- 다음과 같은 노튼등가회로를 구성하면,
▲ 최고측정치가 2mA 일 때
▲ 최고측정치가 20mA 일 때
4. 실험 3에서 저항이 4개 있는 회
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노튼회로를 구성하여 보고 측정해본 후 이론값과 비교하여 본다.
다음과 같은 회로를 구성하라.
+
10V
-
A. 전원의 전압이 정확히 10V가 되도록 조절한다. 측정할 수 있는 최대전류를 2mA로 multimeter를 설정해 놓고 회로의 1이라고 표시된 곳에 흐
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회로
실험 24. 중첩의 원리
실험 25. 테브닌 정리
실험 26. 노튼의 정리
실험 31. 오실로스코우프 동작
실험 33. 오실로스코우프를 이용한 전압 및 주파수 측정
실험 35. 인덕턴스의 특성
실험 37. 인덕턴스의 직병렬 연결
실험 38. RC 시
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노튼의 등가 회로로 구성하면 다음과 같다.
아래에 있는 회로에서 IL값을 구하면 다음과 같다.
IL=×IN = ×2.098 = 1.924 mA
R에 흐르는 전압 Vab를 구하면 다음과 같다.
Vab = I×R = 1.924mA × 47Ω = 90.24mV
R가 10kΩ이고 구한 IN값이 2.098mA 이므로 전압을 구
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회로망을 노튼 등가회로로 대체했을 때 부하를 통하여 흐르는 전류 IL은 다음과 같은 식을 통해 구할 수 있다.
IL = IN × (RN / (RN + RL))
따라서 위 회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의
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그 림 3 ≫
10[V] 전원 값을 제거 했을 때의 각각에 걸리는 전류 값과 15[V] 전원 값을 제거 했을 때의 전류 값들의 합을 더하면 원래 회로의 전류 값과 같다는 사실을 알 수 있다. ● 중첩의 원리
● 테브난의 정리
● 노턴의 정리
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