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실험은 지난 실험의 연장에서 인덕터와 케패시터의 특성을 측정하였다. 실험 도중에 오실로 스코프의 작동을 잘 몰라서 헤매는 조가 많았는데. 자주 다루어 보지 못하고 오랜만에 다시 장비를 대하게 되어 처음엔 많이 혼동 되었다. 또한 그
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. 그리고 최대값이 작아져 이득도 작아진다.
3. 실험 준비물
(1). 실험기기 ( DMM, 함수발생기 )
(2). 저항( 2K (1/2-W, 5%) 1개 )
(3). 캐패시터 ( 0.022uF 1개 , 0.1uF 1개 )
(4). 인덕터 ( 100mH)
4. 실험과정 Pspice로 구현
과정 A, B의 회로
과정B의 그래프
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130kHz
CE 증폭기의 cutoff 주파수 - 70kHz
emiiter follower의 cutoff주파수가 더 높은데, 이것은 emitter follower의 bandwidth가 더 넓다 는 것을 의미한다.
5. Conclusion & Evaluation
-> 이번실험은 BJT의 저주파와 고주파영역에서의 특성을 실험했는데, 실험이 약간
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실험에서,
{tan }^{-1 }w tau
의 공식에 맞게 출력파형(노란색)이 입력파형(파란색)보다 뒤쳐진다는 것을 확인 할 수 있었다.
실험하면서, 실험을 진행해 나갈 방향을 찾지 못하여(실험 1에서) 시간을 많이 지체하였기 때문에, 생각보다 많은 시간
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12-2 : 온도 변화에 ekFMS 서미스터의 특성실험
(1) 회로 구성도와 같이 회로를 구성한다. 접촉식 디지털 온도계를 AD590의 표면에 부착한다.
(2) 가열 드라이기를 이용하여 AD590의 메탈 케이스를 가열하면서, 이 때 저항 R1의 양단에 걸리는 전압 V0을
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148～150
고등학교 산업전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p19～23 I. 서론
II. 본론
A. 트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
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1] 이종민, 서철헌, CMRC 구조를 적용한 고효율, 고선형성 Class- F 전력 증폭기, 전자공학 회 논문지 제 44회 TC편 제 7호, 2002년 7월.
[2] 하성재, 홍의석, 고출력 전력 증폭기의 선형화 기술, 전자공학회지 제 29권 제 4호, 2002년 4월.
[3] Chul-Soo Kim, Jong-S
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실험을 아직 안해봐서 모르겠지만 보통 입력파형과 출력파형을 비교하기 쉽게 non-inverting 증폭기를 쓸 것 같다.
▣ 3-6
V₁의 출력저항이 2k, 주파수가 2kHz, 크기가 1V, V₂의 출력 저항이 10k, 주파수가 4k, 크기가 0.5V이다. V=(10×V-V₂)가 되도록 하
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1.12
-12.5
9000
4.72
320mV
-23.4
※전압이득 계산법
Av=P(out)/P(in)
Av(dB)=20log(Av)
<4차 저역통과 필터의 응답곡선>
※참고 lm741의 데이터시트
●결론 및 고찰
이번 실험의 목표는 ①저역통과 필터의 이해, ②버터워스 특성, ③4차 저역통과필터의 실험
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실험설계 1, 경북대학교 전자전기컴퓨터공학부, pp.113-124
3. 고찰
이번 실험은 처음에는 파형이 제대로 나오지 않아 많이 어려웠지만 여러번 회로를 다시 꾸민 끝에 올바른 파형을 출력할 수 있었습니다. 한번 파형을 출력하자 다음 실험은 쉽
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