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전압 배가 회로는 전자 회로 설계에서 간단하지만 효과적인 방법으로 활용될 수 있음을 알 수 있다.
IV. 결론
본 실험에서는 다이오드를 활용한 전압 조절기, 리미터 회로 및 클램핑 회로의 기능을 탐구하고 그 특성을 분석하였다. 전압 조절기
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1.837V
전압 를 측정하고, 순서 4(b)에 기록된 값과 비교하라.
(측정값) = 9.87V
4. 결론
1. LED에 문턱 전압 이상의 전압을 가하면 방출 되는 빛이 전류에 비례한다.
2. LED도 Si, Ge 다이오드와 비슷한 특성곡선을 나타낸다.
3. LED는 ID 약 20mA에서 가장 밝
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그림에서처럼 다이오드를 역방향 병렬로 연결하면 +E 만큼 파형이 이동되고, 반대로 다이오드를 순방향 병렬로 연결하면 -E 만큼 파형이 이동된다.
-클램프회로의 예 1.전파정류
1.브리지회로
2.중성탭
2.클리퍼
3.클램퍼
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1548; Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
실험결과분석 : 저항은 1KΩ를 사용하였으나, 직접 측정해본 값은 997.54Ω 이었다. Vs는 입력전압이고, Vd는 다이오드에서 측정되는(다이오드가 소비하는) 전압
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1. 실험 개요
2. 이론적 배경
2.1 클리퍼와 클램퍼 회로의 이해
2.2 실험 원리 요약
3. 시뮬레이션 과정
3.1 클리퍼 회로 구성
3.2 클램퍼 회로 구성
4. 사용 장비 및 부품 목록
5. 실험 절차
5.1 클리퍼 회로 실험 방법
5.2 클램퍼 회로 실험 방법
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특성 곡선에서는 출력 전압이 -2.68V을 유지하다가 -2.3V에서 +1.3V까지 입력과 출력 전압이 같고 +1.3V 이후로는 출력전압이 1.68V를 유지했다. 이를 통해 이상인 약 1.7V와 이하인 약 -2.7V 입력 전압은 제한되어 출력되었음을 알 수 있다.
4) 실험 방법
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다이오드는 도통하여 출력 전압의 크기는 Vr + {(Vi + Vr)Rf / (R + Rf)}로 된다. 따라서 출력 전압 파형은 그림 3(c)와 같이 된다. 만일 Rf << R라면 그것은 그림 3 (d)와 같이 된다. 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 방법
4. 참고 문헌
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1. 실험 목적
2. 관련 이론
(1) 반도체[semiconductor]란?
(2) 반도체의 전기적 특성
(3) p-n 접합 다이오드
(4) 다이오드의 저항
3. 예비보고사항
(1)다음 개념들을 간단히 설명하여라.
(i) 가전자대(valence band).
(ii) 전도대(Conduction band)
(iii) Pauli
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1. 실험 목적
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
② 반파 정류기
3. 실험방법
① 다이오드 전압-전류특성 실험
② 반파 정류기 실험
실험결과 및 검토
실험 결과
1. 다이오드 실험 측정 기록표
2. 반파 정류기 실험측정
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실험목표
1. 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
2. 접합 다이오드의 전압-전류특성을 실험적으로 측정하고 그래프를 그려본다.
3. 옴메타로 접합 다이오드를 검사한다.
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