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실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용도
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1
0.56 × 10-6
-5
-0.20
0.2
4.2 × 10-6
-10
-0.24
0.3
28 × 10-6
-15
-0.28
0.4
180 × 10-6
-20
-0.30
0.5
0.001
-25
-0.32
0.6
0.006
-30
-0.34
0.7
0.035
-35
-0.36
0.8
0.248
-40
-0.38
[표 1-1] 다이오드 측정값
[표1-2] 전압 전류 특성 실험 01 접합 다이오드의 특성
1. 실험 목적
2. 기
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⑦ 표 11-1의 측정값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전류특성 곡선을 그린다.
3. 실험 장비
전압계
브레드 보드
4. 실험 결과 및 고찰
실험 결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[]
역방향[]
순방향[]
역방향[]
1V
0.8 mA
0 mA
0.5 mA
0 mA
2V
2
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다이오드에 3V의 전압과 300Ω의 저항이 직렬연결되어있을 때 1N914와 1N4004에 흐르는 전류를 계산하시오.
- DC측정법을 통한 특성곡선에서 구한 다이오드의 등가저항값을 이용해 전류를 계산해보면,
1N914일 때,
1N4004일 때,
으로 계산된다. 없
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13Ω
6) 점화전위
이론개요에서 정의된 것과 같이 다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점회전위(문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
(Si)= 0.7V
(Ge)= 0.3V
4. 토의 및 고찰
실리콘과 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성에 대하여 실험을 하였다.
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전압이 걸리게 하여 상대적으로 다이오드에는 전압의 크기를 작아 다이오드를 보호하여야 했지만, 이번 실험에서는 가변 저항만을 사용하여 그 신뢰도가 크게 떨어졌다. 3-5 전기저항(옴의 저항, 다이오드 특성)
1. 목 적
2. 이 론
A.
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43
1.27
1.27E-05
4
2.35
1.65
1.65E-05
5
2.78
2.22
2.22E-05
4
3.2
0.8
8.01E-06
4
2.8
1.2
1.20E-05
4.9
3.18
1.72
1.72E-05
6
3.77
2.23
2.23E-05
4.5
3.8
0.7
7.01E-06
4.3
3.01
1.29
1.29E-05
5.7
3.96
1.74
1.74E-05
6.8
4.43
2.37
2.37E-05
4.8
4
0.8
8.01E-06
4.6
3.35
1.25
1.25E-05
6.5
4.61
1.89
1.89E-05
7.4
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실험과정 ②
실험과정 ③
실험과정 ④
5. PSpice Simulation
PSpice를 통해 Simulation을 해본 결과 위와 같은 그래프를 얻을 수 있었다.
위 그래프를 보면 제너항복이 일어나는 제너전압 는 -5~-4 V 정도 임을 알 수있다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
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실험을 두 번해야 했다.
비록 이번 실험이 실험장비들의 기능적인 제한에 의해 오차가 많이 발생하였다고 해도 제너항복의 특성과 전압자동조절회로의 기능에 대해 이해하는 데에는 무리가 없었다. 1. 제너다이오드의 특성곡선
2. 제너다
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1, VR1 및 IZ1을 계산하여라.
역방향이므로
VZ1 = 10V
VR1 = 14V
IZ1 = 14V / 2000Ω = 0.007A 목차
Ⅰ. 실험결과(제너 다이오드)
A. 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스
B. 전원전압을 변화하는 경우
C. 제너 다이오드의 전압-전류 특성
Ⅱ
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