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1로 대체해 A0w0 = jw 식으로 구할 수 있다. 이때 A0w0 = wt로 정의하면 |A(jw)| = wt/w = ft/f 가 되므로 unity-gain bandwidth를 알면 원하는 주파수에서의 dB값을 알 수있는 유용한 식을 얻을 수 있다
앞에서 해왔던 실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다.
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인덕터(L)
주파수
커패시터(C)
크기
0.5V
0.1mS
1.782kΩ
10mH
1kHz
10nF
1V
사진5 저항 전압파형 사진6 인덕터 전압파형 사진7 커패시터 전압파형
(3) 과감쇠의 특성
표 3 (과감쇠상태에서의 저항, 인덕터 및 커패시터)
VOLT/DIV
TIME/DIV
가변저항
+10Ω
인덕터(L)
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전압이득
⑩ 슬루율 (sr) : 연산증폭기의 이득이 1일 때 출력전압의 시간에 따른 변화율
⑪ 동상 제거비 (cmrr) : 두 입력 단자에 동일한 신호를 동시에 인가했을 경우 입력신 호에 출력신호의 비(일반적으로 decibel(db)로서 표시된다.)
3. 실험방법
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1
6.99
1000
〃
6.89
7.23
2000
〃
6.83
8.58
5. 결 과
1) 고역통과 필터 실험에서 코일을 연결하지 않았을 때와 연결하였을 때의 주파수 특성곡선(주파수 변화에 대한 출력전압)을 그래프에 그리고 차단주파수를 결정하시오.
그래프1. [L이 없을 때 ]
7
6
5
4
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있다. 본래 Voltage-to-Current converter의 는 로 나타낼 수 있다. 여기에서 는 versus 의 기울기 특성을 나타낸다. 그러므로 이면 완전히 수평적인 특성을 가지고 이면 오른쪽 방향으로의 기울기를 가지며, 이면 왼쪽 방향으로의 기울기를 가진다.
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조합이나 최적화된 바이어스 조건을 통해 더 나은 성능의 회로 설계를 제시할 수 있는 방향으로 나아가야 할 것이다. 1. 실험 데이터 분석
1-1. JFET 자가 바이어스 실험
1-2. JFET 전압 분배 방식
2. 증폭형 MOSFET 전압 분배 방식
3. 최종 결론
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전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해
저항이 정해지는 대칭형 바리스터와 가해지는 전압의
극성에 의해서 달라지는 비대칭형 바리스터가 있음
③ 비대칭형 바리스터는 셀렌, 게르마늄, 실리콘 등의 반도체
다이오드가 유용되며,
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전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해
저항이 정해지는 대칭형 바리스터와 가해지는 전압의
극성에 의해서 달라지는 비대칭형 바리스터가 있음
③ 비대칭형 바리스터는 셀렌, 게르마늄, 실리콘 등의 반도체
다이오드가 유용되며,
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1id=11&dirId=1106&docId=62983008&qb=6rOg7LK07JmAIOyVoeyytCDsoIDtla0=&enc=utf8§ion=kin&rank=2&search_sort=0&spq=0&pid=RNwKB35Y7tRsscw4jBVssssssuR-389021&sid=UcwMj3JvLBUAAHwIZjs 고체저항과 액체저항
1. 고체와 액체
2. 반도체
3. 다이오드
4. 전류
5. 액체저항시 소금물의 농도
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1. 연구 목표
I.2. 문서화의 필요성
II. 이론적 배경
II.1. 소신호 분석 개념
II.2. 공통 소스 앰프의 작동 원리
III. 사전 실험 보고서
III.1. 실험 1) 소스 저항 없는 공통 소스 앰프
III.2. 실험 2) 소스 저항 있는 공통 소스 앰프
IV. 결론 및 고찰
I
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