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1. 실험일자 : 1997년 10월 27일 6～9교시
2. 실험제목 : 실험 #6 저항 회로 및 중첩의 원리
3. 실험목적 : 중첩의 원리를 이해하고 실험을 통해 결과를 고찰한다.
브리지 회로를 구성하여 보고, 각 저항간의 관계를 살펴본다.
4. 실험준비물 : power suppl
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회로>
<적분회로>
6.Experimental Results
1.실험1
A.Data
전원전압 : 5V 주파수 : 2㎑
RL 미분회로
(a)
L
470
R1
R2
R3
791 Ω
3855 Ω
9978 Ω
시 정 수()
전원전압 : 5V 주파수 : 1㎐
RC 미분회로
(b)
C
100㎌
R1
R2
R3
800 Ω
5243 Ω
9238 Ω
시 정 수()
0.08
0.52
0.92
RL 미
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실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석
1. 실험장비 종류 및 사용법
2. RLC 회로 이론 및 분석
2-1. 소자에 대한 이론
2-2. 임피던스와 페이저
2-3. RL회로 분석
2-4. RC회로 분석
2-5. RLC회로 분석
3-1. 실험에 필요한 장비
3-2. 실험에 필요
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회로에 연결된 상태로 저항을 측정하면 정확하지 않다.
10. 참고사이트, 참고문헌 및 출처
1.일반물리학 실험실
2.일반 물리학 실험(제4판)
페이지/p.205~209(ch22. 직류 회로)
저자/대학교 물리학교편찬위원회
펴낸 곳/청문각
3.위키백과 : 멀티미터_
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3.5V 정도 측정된다.
- MCU가 전류를 내보내는 형태인 source 전류 방식은 위 아래 두 그림 중 아랫그림으로, VCC로 전류가 들어가기 때문에 0V로 측정된다.
- 전류는 sink, source 상관 없이 똑같이 측정된다.
실험 2)
회로도 및 멀티심
실험 사진
실험
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회로 실험 P. 30 그림 4-10의 회로를 구성한다.
2. 오실로스코프로 입려과 출력파형을 관찰한다.
3. 측정된 파형을 전자회로 실험 P. 30 그림 4-11에 도시한다.
4. 를 47으로 교체한 후 파형을 도시한다.
4. PSpice 시뮬레이션 회로도 및 결과
① 그림 4-4 (
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3906입니다.
6. 실제 실험 결과
① 그림 10-2 회로에 대한 파라미터들.
파라미터
계산값
측정값
% 에러
VB
2.79V
2.74V
1.79%
VEC
3.49V
3.42V
2%
IE
8.51V
8.49mA
0.23%
re
2.94
② 그림 10-2 회로에 대한 입력파형과 출력파형
CH 1
CH 2
파라미터
Vin (입력)
Vout (출력)
VOLT/D
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3
(2) 전압 를 측정하여 가 성립함을 보이시오.
: 이론값 1.667V 3.333V 5V = 10V
(3) [그림 6]의 회로를 결선하고 각 전류를 측정하시오. 가 성립하는가?
: 이론값 18.33 10 5 3.33 1. 실험목적
2. 실험이론
3. 기기 및 부품
4. 실험
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3904입니다.
6. 실제 실험 결과
① P. 72 표 9-1의 회로 실험 결과
파라미터
계산값
측정값
% 에러
VB
3.82V
3.74V
2.09%
VE
2.7V
3.05V
12.9%
VC
6.2V
5V
19.3%
IE
5.8mA
7mA
20.6%
re
4.31Ω
② [P. 73] 3. 입력파형과 출력파형을 오실로스코프로 측정
CH 1
CH 2
파라미터
Vin
Vout
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3 저항
2. 실험 기본 이론
1) 중첩의 원리(principle of superposition)
≪ 그 림 ≫
그림 4 중첩의 원리
중첩의 원리란 한 개 이상의 전원을 포함하는 선형 회로망에 있어서, 회로내의
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