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특성이 나타나는가를 확인한다.
(3) 그림 10-2 회로에 함수발생기를 사용하여 정현파를 입력하고 그림 10-6과 같은 위상 지연이 나타나는가를 확인하라. 이론값과 비교하라. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행방법
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및 고찰
1.달링턴 회로는 전류 증폭률이 매우 커 전류가 많이 흐르기 때문에 장시간 실험할 시에 저항에 열이 많이 가해지게 된다. 이때, 저항에 손상이 갈 수 있기 때문에 내열성이 좋은 시멘트 저항을 사용하여 소자를 보호하며 실험한다.
2.
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Ⅰ. 실험목적
- 직렬 회로에서 전압, 전류, 저항의 특성을 익힌다.
- 직렬 회로에서 옴의 법칙을 적용하는 방법을 익힌다.
- 전압 분배 법칙을 익힌다.
- 키르히호프의 전압 법칙을 익힌다.
<중 략>
(2) 실험 도구 및 장비
- 전원공
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및 측정에 의한 계산값
이론값
θ
1[㎑]
=62
=162
1
2[㎑]
5[㎑]
10[㎑]
20[㎑]
30[㎑]
60[㎑]
100[㎑]
RLC병렬회로이므로 이고
주파수와 상관없이
또한, 차단주파수는 RLC직렬회로와 동치이다. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진
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대한 응답으로, 임펄스응답·스텝응답·램프응답 등이 있다. 램프응답이란 어떤 시각까지는 일정하고, 그 이후는 일정속도로 계속 변화하는 입력신호에 대한 응답을 말한다. 과도응답을 살피면 계의 신호전달 특성을 알 수 있다.
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특성 실험회로를 구성하고 20㏁범위의 가변저항을 변화시키면서 전압 Vi와 가변저항값을 기록하라. 마찬가지로 회로의 전압을 Vi와 가변저항값을 마찬가지로 기록하라.이때 고정저항과 가변저항을 직렬연결하여 사용해야 한다.
- 게이트 입
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부른다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
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계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라. 1.사전 지식
1)반도체
2)진성반도체
3)확산 전류
4)드리프트 전류
5)전류의 방향
2.실험 절차
1)문턱 전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND 게이트
5)브릿지 구성
6)실전 연습
3.분석 및 토의
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실험
3-1 실험 절차
1. 위의 그림 1-3의 회로를 구성한다.
2. 순방향 전합 를 증가시키면서 저항 양단의 전압 , 다이오드 양단의 전압 와 다이오드를 통해 흐르는 전류 를 측정하여 표에 각각 기록한다.
4. PSpice 시뮬레이션 회로도
- 그림 1-3의 회로
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직렬로 연결된 RC회로에서 충전식은
시간상수는
반감기는 으로 계산 할 수 있다.
반감기가 클수록 시간상수 값도 커지고, 시간상수 값이 크다는 것은 충전이 완료 될 때까지의 시간이 길다는 것을 의미한다. 1.실험목적
2.이론 및 원리
3.
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