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시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00082A
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드 응용 회로 I
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험1 : DMM 이용한 소자 값 측정
1. DMM을 이용한 다이오드 전압
소자
규격
측정 값
순방향
역방향
다이오드
1N4004
0.475V
OPEN
1N4004
0.476V
OPEN
1N4004
0.471V
OPEN
1N4004
0.473V
OP
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결과 보고서
실험 제목: BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정값
저항
1k
0.9821k
2.2k
2.1749k
10k
9.827
10k
9.826
10k
9.843
22k
21.930k
100k
101.09k
캐패시터
1uF
1.13uF
1uF
0
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실험 4.6에서 실제 측정회로를 그리고 자신이 설계한 회로와 차이가 있다면 그 차이를 분석하라. 전류와 전압은 Ohm의 법칙을 만족하는가? 계산값과 실험값의 오차(%)는 얼마인가? 오차의 원인은 무엇이라고 생각되는가? 저항의 오차범위 내에
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실험회로를 설계하고 실험절차를 설명하라.
~실험절차~
① 일단 그림3와 같은 회로를 설계한다.
② 그 다음으로 부하저항 RL을 제거한다.
③ 그림4과 같이 a, b단자 사이에 DMM(내부저항 매우 큼)을 달아 VTh를 측정하고 기록한다.
↑그림3 측정할
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회로 측정 실험의 3) ~ 7)을 반복한다.
4. 참고문헌
1) Raymond A. Serway 원저, 대학물리교재편찬위원회 옮김 “대학 물리학 Ⅱ” - 개정판 - P.1170, (주) 도서출판 북스힐 (서울, 2007)
2) 홍익대학교 물리교재 편찬위원회 “일반물리실험” - 개정판 - P.3
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위상을 비교
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘주파수 응답’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005
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단계와 같은 방법으로 저항 R과 capacitor 에 관하여 전 압을 측정하고 I 의 (8) - (10) 까지의 단계를 반복한다
Ⅲ. . R-L-C회로
1.R-L-C 직렬회로를 만들어 II 의 (2) 단계와 같이 저항 R과 코일 L과 capacitor C에 대하여 실험한다.
<그림 3>
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실험8-7
5) 그림 5-7 회로에서 전압원과 전류원을 제거시킨 후( 전압원은 단락시키고 전류원은 개방시켜 )단자 a, b사이의 저항을 측정하라.
{R}_{ab}
=
6) 다시 그림 8-7 회로를 구성하고 단자 a, b사이에 표 8-2에 지시한 저항을 접속하여 이 저항에 흐
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측정 불가
981
0.1
0.49
0.601
981
0
측정 불가
측정 불가
981
0.2
0.51
0.723
981
0
측정 불가
측정 불가
981
0.3
0.53
0.846
981
0
측정 불가
측정 불가
실험9 : 트랜지스터 특성
1. 목 적
트랜지스터의 동작특성에 대해서 실험 해 본다.
2. 실험 기구
- 회로실험보드
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