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0.14
θ4=120
2.8
1.98
2.8
1.98
0
θ5=150
3.2
2.26
3.2
2.26
0
θ6=180
4
2.83
4
2.83
0
6. 결과 및 토의
가변저항을 회전시킬수록 회로에는 점점 더 큰 저항이 걸리게되므로 전압강하가 커지게 된다. 그런데 이 실험의 목적은 가변저항의 역할(그림1)이 저항을 여
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게이지(금석선, 금속 박막)
(2) 반도체 스트레인 게이지
(3) 스트레인 게이지 부착방법
2. 휘스톤브릿지
(1) 목 적
(2) 원리
3. 가변저항
(1) 탄소피막형 가변저항기
(2) 서미트형 가변저항기
(3) 권선형 가변저항기
(4) 볼륨형 가변저항
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을 조정하거나 회로부품의 불균형에 의한 동작 상태를 조정(Adjustment)하기 위해 사용되고 통상은 저항 값을 바꾸지 않는 반고정 저항과, 음량이나 이퀄라이져의 조정 등을 위해 수시로 사용하는 가변저항(볼륨)이 있다. 반고정 저항의 경우, 가
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가변저항으로 하여
가변저항을 돌리고, 아날로그 값을 샘플링해서 변환된 디지털 출력 값을 8051의 입력으로 보내준다.
변환된 ADC값이 Hexa인데 ASCII로 변환해서 LCD 화면에 디스플레이한다. 이 값이 몇 V인지 나타내기 위해 ADC 값에 0.0195V의 단위
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전압이 작아진다. 이것이 ADC의 입력이 되는 것이다. LCD에 디스플레이 되는 과정은 가변저항 실험과 마찬가지로 ADC에서 아날로그 입력을 받아 디지털로 변환되고 Hexa 값이 decimal변환과 전압계산이 돼서 LCD에 디스플레이 되기 위해 ASCII 값으로
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