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14
θ4=120
2.8
1.98
2.8
1.98
0
θ5=150
3.2
2.26
3.2
2.26
0
θ6=180
4
2.83
4
2.83
0
6. 결과 및 토의
가변저항을 회전시킬수록 회로에는 점점 더 큰 저항이 걸리게되므로 전압강하가 커지게 된다. 그런데 이 실험의 목적은 가변저항의 역할(그림1)이 저항을 여러
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게이지(금석선, 금속 박막)
(2) 반도체 스트레인 게이지
(3) 스트레인 게이지 부착방법
2. 휘스톤브릿지
(1) 목 적
(2) 원리
3. 가변저항
(1) 탄소피막형 가변저항기
(2) 서미트형 가변저항기
(3) 권선형 가변저항기
(4) 볼륨형 가변저항
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조정하거나 회로부품의 불균형에 의한 동작 상태를 조정(Adjustment)하기 위해 사용되고 통상은 저항 값을 바꾸지 않는 반고정 저항과, 음량이나 이퀄라이져의 조정 등을 위해 수시로 사용하는 가변저항(볼륨)이 있다. 반고정 저항의 경우, 가장
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가변저항으로 하여
가변저항을 돌리고, 아날로그 값을 샘플링해서 변환된 디지털 출력 값을 8051의 입력으로 보내준다.
변환된 ADC값이 Hexa인데 ASCII로 변환해서 LCD 화면에 디스플레이한다. 이 값이 몇 V인지 나타내기 위해 ADC 값에 0.0195V의 단위
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이 작아진다. 이것이 ADC의 입력이 되는 것이다. LCD에 디스플레이 되는 과정은 가변저항 실험과 마찬가지로 ADC에서 아날로그 입력을 받아 디지털로 변환되고 Hexa 값이 decimal변환과 전압계산이 돼서 LCD에 디스플레이 되기 위해 ASCII 값으로 변환
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