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1. 실험목적
(1) 전압과 전류의 측정값을 이용한 실험으로 Ohm의 법칙을 이해한다. (2) 직, 병렬 회로에서 전압과 전류를 측정하고 이를 이용하여 키르히호프(Kirchhoff) 전압 및 전류 법
칙을 이해한다. 2. 실험 이론
(1) Ohm의 법칙
어떤 도체의 양
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1.실험 목적
? 결합 커패시턴스에 의한 EF-Amp 저주파 응답특성 측정
? 바이패스 커패시턴스에 의한 CE-Amp 저주파 응답특성 측정
? CE-Amp 고주파 응답특성 측정
2.실험 기구 및 부품
? DC 전원공급 장치 ? Oscilloscope (2채널) ? 함수 발생기
? Capacito
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적정이란?
정량분석에서 부피분석을 위해 실시하는 화학분석법으로 일정한 부피의 시료용액 내에 존재하는 알고자 하는 물질의 전량을, 이것과 반응하는 데 필요한 이미 알고 있는 농도의 시약의 부피를 측정하여 그 양으로부터 알고자 하
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측정한 후 기록한다. 이것이 회로 내의 귀환 저항기들에 대한 최대 무왜곡 출력 신호값이다.
3. 오실로스코프를 이용하여 증폭기의 입력 신호 Vin을 측정하고 기록한다.
4. 증폭기의 이득을 계산한 다음 기록한다.
5. 입력과 출력 신호의 위상을
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전이 생기도록 한다.
침전을 거르고 소량의 석유에터르로 씻은 후 다른 거름종이에 말린다.
수득된 아스피린에 FeCl2를 떨어 뜨려 나타나는 색으로 순도를 측정한다.
6.주의사항
에테르화합물은 인화성 물질이기 때문에 가열기 근처에서 취급
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측정하여 그림11-6에 그리시 오.
⑤ 차단 주파수의 계산값과 측정값을 비교하여 %오차를 계산하여라.
2) 고역통과 필터
① 그림 11-7(a)의 회로를 결선하여라. 신호발생기로 25kHz의 신호를 가하고 신호발생기 출력을 2V로 항상 유지하여라.
② 위
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정한 다음 곧바로 뜨거운 물이 담긴 컵에 쏟 아넣고 젓개로 잘 저어준다. (온도계를 젓개로 사용하면 안된다.)
7) 약 5분정도 기다리면 드라이아이스가 모두 없어지고 소용돌이도 멈추어진다. 이때 온 도계를 다시 넣어서 온도를 측정한다. (온
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측정하면, 이를 통해 MOSFET의 전류 증폭 비를 쉽게 도출할 수 있다. 이러한 실험 결과를 통해 MOSFET의 전기적 특성을 이해할 수 있으며, 이를 기반으로 실제 회로에의 적용 가능성도 탐색할 수 있다. 요약하자면, 전달특성곡선 실험을 통해 MOSFET
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생기를 연결한다. 신호발생기는 2V DC 전압의 출력을 갖는 DC 출력을 가지도록 조정한다. 전원 전압 VCC를 0~12V까지 1V 간격으로 변화시키면서 컬렉터 전압 VCE, 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 측정하여 표에 기록한다.
3. 신호발생기를 DC 4V로
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1N4154 또는 대치품
기타 : SPST 스위치, 5000Ω 2W 전위차계
<실험 과정>
<바이어스 안정화>
1. 오른쪽과 같이 회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음
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