|
풀림
2.2 담금질
2.3 에칭
2.4 Fe-C 평형 상태도
3. 실험 장비
4. 실험 과정
4.1 시편 절단
4.2 연삭
4.3 열처리
4.4 마운팅
4.5 폴리싱
4.6 에칭
4.7 관찰
4.8 경도측정
5. 실험 결과
6. 고찰
7. 참고문헌
|
|
|
에칭 혹은 이온주입 공정 후의 감광막 및 감광막 잔류물 (PR residue) 제거에 응용가능한 공정으로 알려져 있다. 최근 이스라엘 Oramir 사는 적절한 활성 가스와 엑시머 레이저 빔을 이용해 플라즈마 아싱(ashing) 공정 후 남아있는 감광막 잔류물을
|
|
|
위하여 보통 냉간 가공 또는 소성변형을 시킨다. 그러나 냉간 가공된 금속은 어닐링 처리된 같은 재료보다 부식되기가 쉽다. 예를 들면, 변형 과정들은 못의 머리와 끝이 형상을 만들기 위하여 이용된다. 재료의 부식
부식의 예
|
|
|
에칭
5. 습식 식각
6. 실리콘의 습식 식각
7. 열산화막의 습식 식각.
8. 질화 실리콘의 습식 식각
9. 건식 식각
10. 이온주입 (Ion Implantation)
11. 이온 주입의 특징 및 응용
12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
-
|
|
|
에칭을 할 때 에칭용액에 비스듬하게 넣어야 기포가 생기지 않는다. 그리고 에칭용 액에 너무 오래 담그고 있으면 조직이 많이 타기 때문에 오래 담그고 있지 말아야 한다.
-경도를 측정할 때 찍은 자리에서 10배 떨어진 곳에서 찍어야 한다.
8.
|
|
메뉴펼치기
