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회로에서 각각 최대 전압 은 , , 이므로 직류회로의 저항에 해당되는 교류회로의 임피던스 Z는 식(10)에 의해서
(15)
가 되며, 위상각는
(16)
이다.
Ⅴ. 임피던스와 에미터공통증폭기
1. 입력 임피던스
증록기의 입력 임피던스 Zin 혹은 Rin은 입력 신
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1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
2. 컬렉터 특성(VCE-IC)을 위한 실험회로
●실험순서
●실험데이터
<표 10.1 VCE 대 IC 측정>
<표10.1의 데이터를 이용한 에미터 공통연결에 대한 컬랙터 특성 그래프>
*결론 및 고찰
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에미터 증폭기의 이득에 영향을 미치는 파라미터에 대해 설명하라.
☞ : 이므로 컬렉터 전류의 값에 따라 값의 변화가 있으며
값이 커지면 전압이득은 작아지며 작아지면 이득은 커진다.
☞ : 은 보통 수백이상 이므로 개방회로로 대치
☞ :
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회로)
(3) (무부하시)
(4) (바이패스 커패시터가 없는 경우)
트랜지스터의 교류 에미터 저항
(5)
직류해석
(6)
(7)
(8) (βdc가 클 경우, IC = IE)
(9)
(10)
3. 실험
3-1 실험부품
저항 : 100Ω, 330Ω, 1KΩ, 4.7KΩ, 10KΩ
커패시터 : 1uF, 47uF, 100uF
트랜지스터 :
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회로 연결이 거의 없음.
.많은 열을 발생하지 않음(장점).
.열에 민감함(단점).
트랜지스터 구조
.두 개의 PN 접합으로 나누어지는 도핑된 3개의 반도체 영역으로 구성되어 있다.
.에미터(Emitter) > 컬렉터(Collector) > 베이스(Base)
[불순물
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