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1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 목적 및 서론 …………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~5P
5. 실험과정 ………………………………… 5P
6. 회
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경우 출력신호전력
P_l
과 입력신호 전력
P_e (=V_e I_e )
와의 비율을 전력이득(power gain)이라고 한다. 즉
A_p == P_l over P_e
또 하나의 파라미터는 출력신호전력과 "입력신호원 v_s가 공급할 수 있는 최대 전력"과의 비율이며 이것을 변환이득(transducer
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도식적 구조
-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다 * 결과분석 및 토의사항
1)에미터 접지 증폭기 실험
2) 컬렉터 접지 증폭기 실험
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에미터 플로워의 특징이다.
부하저항이 에미터 회로에 놓여 있으므로 전체적인 교류 에미터저항은 CE증폭기보다 높다.
따라서 교류 전류이득으로 곱해진 후 베이스의 입력임피던스는 CE 증폭기보다 훨씬 높아진다.
- Ri >> Re 임피던스 변
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에미터 회로의 부하로부터(3)입력회로에서 이고 이 식들을 식 (1)에 대입하면
(4) 증폭기의 입력 저항은 을 가정하면(5)저항 Ri 는 트랜지스터만의 에 비해 상당히 크다.
전류 이득은 부하 전류로부터 구해진다.(6), (7)전압 이득은 식 (5)에서 구한
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접지 왜함??
43. 인덕턴스 구하기 !!
44. 퍼센트리액턴스 구하기(공식대입)
45. 3상 발전기출력? EV/X
46. 배선용차단기 견디는거? 1.1배? 1배?
47. 역상제동 회생제동 발전제동 고르기
48. 온도계수 식(R이랑 알파주고)
49. 성층철심하는이유?? 와류손 감
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