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에미터 회로에 놓여 있으므로 전체적인 교류 에미터저항은 CE증폭기보다 높다.
따라서 교류 전류이득으로 곱해진 후 베이스의 입력임피던스는 CE 증폭기보다 훨씬 높아진다.
- Ri >> Re 임피던스 변환
- Ro << Rg CC증폭기의 특성
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에미터 접지(CE) 증폭기
▶ 에미터 저항을 가진 CE 증폭기
▶ 에미터 폴로워 : CC 증폭기
▶ BJT증폭기의 비교
2) 고입력 저항 회로
▶ 부우트스트랩 회로 : 고입력 임피던스 회로
3) 바이어스 회로 및 열적 안정
4) 고주파 트랜지스터
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증폭기를 구성함에 있어서도 이러한 점을 고려하여 설계를 해야지 원하는 결과값에 최대한 가깝게 구현이 될 것이라는 것을 알 수 있었다.
다음으로는 공통 에미터 증폭기를 설계하는데 여기서는 에미터 저항이 있는 공통 에미터 증폭기와
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Cc1과 Cc2를 연력한다.
전압이득, 입력임피던스, 출력 임피던스를 구하기 위해 -형 등가모델을 그리면 다음과 같다.
<공동 에미터 증폭기(CE) -형 등가모델>
증폭기 입력에서 Rin은
Rin=Vi/Ii =RBllRib
이며 Rib=r (에미터가 접지되어 있으므로) 가 된
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⑧CC 증폭기가 임피던스 매칭회로로 사용되는 이유
증폭단의 입력임피던스는 바이어스 저항과 베이스의 입력임피던스를 결합시킨 것이된다. 이 임피던스는 매우 높으며 이것이 에미터 플로워의 특징이다. 부하저항이 에미터 회로에 놓여 있
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