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포토 다이오드에서의 역바이어스
역바이어스 : 포토다이오드의 응답특성을 개선하기 위하여 사용
PIN 뿐 아니라 PN에서도 그런 대로 유효
but, PN은 그 구조상 접합용량이 매우 크므로 역바이어스를 걸어도 접합용
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역바이어스 되도록 다시 연결한다. 다이오드 양단의 전압값이 표 22.2 에 주어진 값과 같아지도록 조절하면서 각각의 ID 값을 측정하여 기록하라. 이 전류 값은 아주 작으므로 ㎂ 전류를 측정할 수 있는 전류계가 필요하다.
⑶ 그래프 용지를 사
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F, 10 F, 100 F(50V))
트랜지스터 (KTK117 EH는 2SK30(JFET))
저항 (470 , 600 , 1k , 4.7k , 10k , 100k , 2.2M (1/2W))*1
실험 결과
(1) 게이트 전압이 0V일 때(Vgs=0V)와 역바이어스 걸렸을 때
Vds(V)
Id(mA)
Vgs(V)
0
-0.40
-0.60
-0.80
-1.00
-1.20
-1.40
-1.60
0.00
0
0
0
0
0
0
0
0
0.90
1.667
1.392
1.
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역바이어스는 마이크로암페어 단위까지 측정해야 하므로, 그 내부저항과 오차가 크게 작용한다. 또한 측정기의 불량접촉 역시 문제가 될 수 있다. 기타 소자의 오차도 마찬가지이다.
실제 다이오드는 익스퍼넨셜 함수 e로 표현된 복잡한 식이
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역바이어스 전압을 PIV(peak inverse voltage)정격 혹은 PRV(peak reverse voltage)정격이라고 한다.
9.실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드
실리콘 다이오드는 게르마늄 다이오드에 비해 높은 PIV 정격과 전류 특성을 가지며, 보다 넓은 범위의 온도에서 작
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