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ZnO를 Al2O3기판위에 증착시킬때 기판의 온도를 증가시켜줌에 따라서 ZnO박막의 결정립의 크기의 증가와 결정성 증가가 이루어 질것이라는 예상을 XRD를 통해 확인해 볼 것이다. 또한 JCPDS 카드 상의 ZnO Diffraction Peak를 통해 앞서 계산한 구조인자
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열역학적 제한영역(thermodynamic-limited regime)
보다 높은 온도영역에서는 표면 반응속도와 함께 물질의 전달 속도도 매우 커지게 된다. 열역학적 제한(thermodynamic-limited)이라는 말은 박막의 성장 속도가 반응물의 반응기로의 유입속도와 같음을 의
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열법을 이용한 진공증착방법에서 증발원으로 방출된
분자들이 기판 위에 증착되는 증착률은 source의 기하학적인 요소, source와 기판과
의 상대적인 위치, 응축 계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박
막실험시 세심한 주의와 관
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열법을 이용한 진공증착방법에서 증발원으로 방출된
분자들이 기판 위에 증착되는 증착률은 source의 기하학적인 요소, source와 기판과
의 상대적인 위치, 응축 계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박
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ATKINS
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본론
1. 산화-환원의 원리
2. 전기 분해
3. 전기분해 반응의 화학양론
4. 갈바니 전지
5. 표준 환원전위의 사용
6. 전지전위와 열역학
7. 전지전위의 농도 효과
8. 갈바니 전지의 용도
결론 및 소견
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