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이미터 접지 증폭 회로에서 출력 파형의 왜곡에 따른 포화 상태의 도달에 대해서 알 수 있는 실험이였다. 실험이 대체적으로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비슷하게 나와 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
3. 결론 이미터 접지 증폭기에 대해 실
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실험값과 비교하라.
5) 입력 저항 과 출력 저항 을 구하라.
2.2.3 실험 결과
10V
5.44V
4.72V
837.4μA
5.6μA
843.0μA
149
0.032
4.66kΩ
10V
5.44V
4.81V
853.1μA
5.8μA
858.9μA
147
0.033
4.46kΩ
앞서 실험한 베이스 접지 증폭기 회로 실험과 마찬가지로 동작점을 측정하기
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차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규,
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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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