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물론 계산에서 실수도 있었고 그 때문에 제대로 중첩의 원리를 이해하기 힘들었다. 조금 더 공부를 해서 저번에 들었던 기초회로 실험의 프로젝트도 시뮬레이션 해보고 싶은 욕심이 생긴다. 1. 사전 지식
2. 실험 절차
3. 분석 및 토의
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결과를 비교하는 과정을 경험하였다. 다양한 저항값을 가진 회로를 구성하고 전류, 전압, 저항 값을 측정하면서 오옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 적용을 실습했다. 멀티심 소프트웨어를 활용하여 시뮬레이션을 진행하였고, 실제 실험 결과
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PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재, 아주대학교, 2011. < 1. 설계부품 >
< 2. 설계 준비 사항 >
< 3. 실험 과정 및 실험 결과(실제 실험 결과를 시뮬레이션과 비교분석) >
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
< 5. 참 고 문 헌 >
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시뮬레이션 결과
4. Discussion
위실험에서 우리는 7-segmant의 입 출력과 디지털의 제어로 숫자를 제어할 수 있음을 알았다. 이번 실험에서는 0~3까지의 간단한 회로를 만들었기 때문에 OR GATE를 썼지만 숫자가 더 많아질 경우에는 이것과는 다른 방
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회로의 동작을 이해에 대해 실험을 통하여 보다 쉽게 이해할 수 있었다.
< 4. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008. < 1. 목 적 >
< 2. 실험 과정 및 실험 결과 >
< 3. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
< 4. 참 고 문
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회로도
2.2 각 저항값의 설정
2.2.1. 2단의 AC해석
2.2.2 2단의 DC해석
2.2.3 1단의 AC해석
2.2.4 1단의 DC해석
3. 시뮬레이션
3.1 저항값 넣은 회로도
3.2 시뮬레이션 결과
3.3 주파수에 따른 시뮬레이션 결과
4. 시뮬레이션을 통한 회로 수정
4.1
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저항이 되는데, 0.431킬로옴, 즉 431옴이 된다. 이것은 위의 시뮬레이션과 동일한 값을 나타낸다.
2) 직렬회로
위와 같은 회로에서 각 노드 사이의 전압을 계산하면, 다음의 그림과 같은 결과가 얻어진다. 이것은 옴의 법칙을 이용한 것으로서, 직
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회로를 구성하고 시뮬레이션을 돌려보면서 익숙해 질 수 있었고 결과표를 보고 이론값과 비교해보니 같은 값을 가진다는 것을 알 수 있었다. 앞으로의 실험 전에 PSpice를 미리 돌려봄으로써 실제 실험에 많은 도움을 받을 수 있을 것 같고 더
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3. 브리지 정류와 평활회로 시뮬레이션 수행결과
1. 브리지 전파 정류 회로 시뮬레이션 결과
2. 브리지 평활 회로 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 브리지 정류와 평활회로 시뮬레이션 수행결과
4. 시뮬레이션 결과
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회로를 시뮬레이션하여 과 의 위상차(각도)를 구하라. 교류전원 V1으로는 20[KHz], 20Vpp 정현파를 인가하고, R1 = 4.7[], L1 = 10[mH]로 설정하라.
- RL 직렬회로 시뮬레이션 결과
☞ 과 의 위상차(각도)는 90도이다.
3. 나의 고찰
이번실험은 저항과 커패시
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