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회로를 설치하고, RLC회로상자에 저항R과 축전기C를 연결하고 코일단자에 리드선을 연결하여 R-C회로를 구성 한다.
② 저항은 47Ω, 축전기를 47으로 하고 저항 및 축전기 용량을 표 1에 기록한다.
③ 전류계를 연결하고 슬라이닥스를 돌려 전류
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저항값으로 전류를 측정하여라.
4). 각각의 저항기의 측정 전류를 측정하여라.
5). 각각의 저항의 백분율 오차를 계산하여라.
6). 다음의 빈칸을 옴의 법칙을 이용하여 기록하여라.
전압(V)
전류(I)
저항(R)
1
30V
250mA
120
2
15000
1A
15k
3
24V
24 A
1M
4
1V
1
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옴의 법칙에 따라 전류가 흐른다.
-> V=IR (V:전압, I:전류, R:저항)
2. 다이오드(Diode)
-> 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품으로 전압이 임계치 보다 낮으면, 어떠한 전류도 다이오드를 통하여 흐르지 않는다.
3. P-N접합 다이오드
->
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저항이란?
재료가 얼마나 전기를 잘 흘릴 수 있는가를 나타내는 물성값이며, 재료의 고유 성질이라 할 수 있다.
- 비저항 공식
ρ=Rs/l(s=단면적, l=도선 길이, ρ=비저항 R=저항)
- 각 물질의 비저항
Al : 2.7μΩ-㎝,20℃, brass : 8μΩ-㎝,20℃
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R(저항), L(인덕터),C(캐패시터)
그리고 RF, S파라미터
R(저항),L(인덕터),C(캐패시터) 기본 개념
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● R(Resistor)
정의: 도선의 전기저항 R은 전류의 흐름을 방해하는 물질
기호:
단위:
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