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실험 방법
실험 A.
1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다.
2. 금속과 반도체의 전기적 특성과 연관지어, 두 값을 비교하여 본다.
실험 준비물
금속 호일
반도체 FTO 기판
휴대용 4 point probe
실험 주의사항
1.실험이
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실험치 : 0.64(V) ,, -0.64(V)
3. 2) 주기 T = 2RfC 0.02ms
3. 3) +V 6.2 v ,, -V -5.60 v
3. 4) Duty cycle = 100 = 50% ( 이론치 )
= 48% ( 실험치 )
▶ 검토 및 결론
→ 이번의 실험들은 대체적으로 회로가 간단하고, OP amp가 특성이 잘 나타나서 간단하게 끝낼 수 있었다. 이
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= 4.284 V
VIL = 0.970 V
VIH = 1.392 V
2) NOT 게이트의 입출력 특성 곡선 및 노이즈마진
NMH = -2.892 V
NML = 0.517 V
3) Y와 Y\'에 흐르는 전류값 = 12μA
* 검토 및 토의 사항
이번 실험을 진행하면서, X-Y 특성곡선에서 기울기가 -1인 두 개의 접선에서의 값(그래프
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실험 재료 및 기구 : IGZO & Organic 증착 기판, probing system, UV-spectrometer, SPA(반도체 분석기)
Ⅲ. 실험방법 : 우리는 전기적 특성과 광학적 특성을 probe station와 UV-VIS spectroscope를 이용한다.
[1] Oxide와 Organic TFT Electrical 특성
① TFT sample을 probe st
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실험 종합
이번 실험은 CMOS 회로의 전기적 특성을 알아보는 시간이었다. 3년 만에 만지는 오실로스코프에 긴장하기도 하였지만, 예비보고서를 준비할 때 오실로스코프에 대한 조사를 하고가니 한결 쉽게 해결 할 수 있었다. 실험1번에서 미세
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