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전기전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
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[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학
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실험 20-1
주어진 회로는 그림 20-1와 같다.
이론
실험 12에서 J2N4393에 대해 는 15.86 mA, 의 절대값은 1.5V 였던 것을 상기하라.
1. 이 증폭기의 해석을 시작하기 위해 바이어스 점 분석을 수행하고 이 회로의 직류 전압과 전류를 얻어라.
답 :
2. PSpice
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공통 소스 트랜지스터 증폭기에 대한 실험을 하였습니다.
이번 실험은 JFET의 직류 바이어스는 소자의 전달 특성과 소스 저항에 의해 결정되는 직류 자기 바비어스에 의대 결정됩니다. 이 직류 바이어스 점에서 교류 전압이득은 gm과 같은 소자
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형과 증가형
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