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오실로스코프의 내부저항이 1MΩ이라는 가정과 거의 근접하게 결과값이 나왔다. 물론 3.08V - 3V = 0.08V라는 오차값이 있긴 하였지만 거의 이론값과 근접하였기 때문에 신기하기도 했고 성공적인 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 기초전기전자
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계산
의 전압값 계산
, 가 동시에 인가된 경우 , , 의 전류값은 실험값과 중첩의 원리를 이용한 계산값이 같을 것이다.
5. 참고문헌
전기전자기초실험 / 대한전자공학회 1. 실험목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법
4. 예상 결과
5. 참고문헌
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기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo>
<http://www.ecircuitcenter.com/Circuits/opwien/opwien.htm>
<http://en.wikipedia.org/wiki/Wien_bridge_oscillator> 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5.
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전기전자기초실험-청문각
Google검색 Ⅰ. FILP-FLOP 특성 조사
Ⅱ. FIPLP-FLOP 실험
- 초기 전원 인가 후 출력상태
- 입출력 전압의 1/0, H/L 전압 범위
- 출력 전압 값에 영향을 미치는 요소
- 정상적인 동작을 하는 전압 범위와 전류
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실험실 전기회로 기초실험 동일 출판사 김광훈·김동식·허원지음
전기·전자기초 실험실습 집문당 신종석 지음
회로이론의 기초(Electric Circuits Fundamentals) 청문각
기초전자실험 형설출판사 김태·이봉락 공저
회로 실측에 기초한 기초 전자 전
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기초전기전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999)
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법칙과 키르히호프법칙의 사용이 필요할 수도 있다.
노튼 저항 RN은 앞의 실험에서 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구한다. 본래의 회로망에서 부하를 개방한다. 모든 전압원은 단락 시키고 내부저항
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실험과정을 반복하라.
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김지홍외 , 동일출판사 ,1995)
-전기전자 기초 실습 (안전관리연구회, 신광문화사, 1999)
-전자 실험 (최동선외 5명, 광명출판사, 1999)
-기초전기전자실험 (홍철호&임해진, 승지사, 1986)
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오실로스코프로 관찰하고 파형을 도시하라.
④ DMM을 사용하여 RL 양단의 전압을 측정하라.
4. 참고문헌
-기초전자공학실험 (김용연,외 양서각, 1999)
-최신기초전기전자실험 (김지홍외 , 동일출판사 ,1995)
-전기전자 기초 실습 (안전관리연구회,
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오실로스코프를 이용하여 전압을 측정해야 했기 때문에 정확한 값을 얻을 수 없었다. 함수발생기의 주파수를 맞출 때 실험에서 요구한 주파수를 정확히 맞출 수 없었다. 그리고 실험에서 얻은 결과 값을 이용한 계산에서 발생한 수많은 소수
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