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정한다.
⑫ 전류를 2 암페어로 맞추고 Magnet Assembly의 무게를 측정한다.
⑬ 이 무게의 차이로부터 자기력을 구한다.
⑭ 자석을 하나씩 추가하면서 각각의 경우에 대하여 ⑪~⑬의 과정을 반복한다.
5. 주의 사항
① 전자저울은 칭량부분이 매우
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전자저울의 원점을 잘못 맞췄다거나, 실험과정에서 자기장에 노출된 도선의 길이를 잘못 측정했을 수도 있다.
7.참고문헌
-일반물리학 실험(교재) 일반물리학 실험 - 전류천칭
1.실험제목
2.실험목적
3.관련이론
4.실험방법
5.실험결과
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시간이였다.
4. 참 고 자 료
① 일반물리학 / 이영재 외 9명 / 형설출판사
② 회로이론 / 김동희 외 2명 / 인터비젼
③ http://phya.yonsei.ac.kr/~phylab/read.cgi?board=experiment&x_number=1029921503&nnew=2
④ http://krdic.naver.com/search.nhn?query_euckr=%C0%FC%B7%F9%C3%B5%C4%AA
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측정할 수 있다는 점이 인상 깊었다.
3. 참고문헌
Fundmentals Of Physics written by Halliday, Resnick, and Walker
http://phya.yonsei.ac.kr/~phylab - 연세대학교 물리실험실
물리레포트
2-3. 자기력 측정 (전류천칭) 1. 측정값
2. 결과 및 토의
3. 참고문헌
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천칭이 원래의 위치로 돌아오는지 확인한다.
③위의 과정을 이상 없이 마쳤다면,본 실험을 실행한다.
5. Reference
http://physica.gsnu.ac.kr/physedu/modexp/e_m/main.htm
일반물리실험
일반물리학 - halliday
www-ph.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/gen_phy_2006/5.ppt 1.실험
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물리학과 첨단기술 (특집 차세대 메모리 편) 2005. 9.
박재근, <차세대 비휘발성 메모리 소자>. 특집 차세대 메모리. 물리학과 첨단기술 (특집 차세대 메모리 편) 2005. 9.
이동수 심현준 외2. <차세대 비휘발성 Oxide 저항 변화 메모리(ReRAM)>.
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전류와 전하, 전압, 저항, 에너지, 전류, 전자기유도, 자기장, 직렬과 병렬 등 수많은 물리 개념들을 알게 되었습니다. 수업 시간의 일환인 실습을 통해 일련의 회로를 만들어 전구에 불이 들어오는 과정이 너무 신기하고 재밌었기에 물리에 푹
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물리 36
전기공학 36
재료공학 36
회로 설계 37
나노기술 37
일반 반도체 공정 38
반도체 디바이스 38
최신 기술 38
경제 및 산업 동향 39
윤리 및 환경 39
반도체 물리 39
전기공학 40
재료공학 41
회로 설계 42
나노기술 43
일반 반
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물리적 특성을 고려한 설계이고, 전자적 설계는 전류, 전압, 신호 처리 등 전기적인 특성을 중심으로 설계하는 것입니다. 두 설계는 협력적 관계에 있으며, 특히 전자기기에서는 두 설계가 상호 보완적으로 작용해야 합니다.
21. 전기전자공학
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물리 38
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재료공학 39
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나노기술 40
일반 반도체 공정 40
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최신 기술 41
경제 및 산업 동향 41
윤리 및 환경 42
반도체 물리 42
전자공학 43
재료공학 44
회로 설계 45
나노기술 46
일반 반
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물리적 폭발입니다.
증기가 인화성이 있고 점화되는 경우 Fire ball(화구)가 생겨나는게 특징입니다.
※ Unconfined vapor cloud explosion(자유공간 증기운 폭발)
- 증발하기 쉬운 가연성 물질이 다량으로 급격하게 대기중에 유출되면 증기운을 형성하면
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