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7E-04
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1010.15
⑤ Discussion
이번 실험은 공진주파수를 찾아 주파수의 변화에 따른 회로의 전압값의 변화에 그에 따른 실효전류, 인피던스의 변화를 알아보는 실험이었다. 이론적인 공진 주파수는 이지만, 실험에서
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사용)에 맞추어 저항기 조합을 구성해야 한다. 1. 직류 회로의 정의
2. 지정된 저항 조건을 만족하는 직렬 회로 설계
3. 지정된 전압과 전류 조건을 만족하는 직렬 회로 설계
4. 지정된 전류와 저항 조건을 만족하는 직렬 회로 설계
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전압이 인가된 경우를 생각하자
인덕터를 페이저 영역으로 변환하면
가 된다.
주파수영역에서의 RL회로는 좌측그림(b)의 회로가 된다. 이회로에 KVL를 적용한 후 이식을 I에 대하여 정리하면
가 된다.
위 식의 시간 영역 전류 는 <표 18.1>
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전류성 잡음이 매우 작고, 혼변조 일그러짐이 거의 발생하지 않고, 온도계수를 0에 설정할 수 있고, 열폭주가 일어나지 않고, 축적시간이 짧고, 고속 스위칭이 가능하다.
참고자료
전자회로의 기초, 김재요 저, 두양사, 2006, p.161 ~ p.187
집적회로
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제대로 활용하는 데 도움이 된다. 1. 실험 결과 및 시각화
1) 일정 저항에서의 전압 변화에 따른 전류 흐름
2) 고정된 전압에서 저항 변화에 따른 전류 흐름
3) 일정 전류에서 저항 변화에 따른 전압 변동
2. 최종 분석 및 고찰
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회로를 구성한다.
⑵ 함수발생기의 진폭 조절단자를 왼쪽 끝까지 돌려 출력 전압을 0V로 맞춘 후 전원을 켠다.
⑶ 출력 전압은 0.5 Volt에, 진동수
f
는 1.0kHz 근처에 위치시킨 다음, 멀티미터를 이용해 전압
V,V_{ R, } V_{ C }
, 전류
I
, 진동수
f
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.
4. 각각의 VGS에 대해 X축을 VDS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 λ, r0를 계산한다. ① 전계-효과 트랜지스터(FET)
② 전류 전도를 위한 채널의 형성
③ MOSFET의 동작 영역
⑤ 포화 영역에서의 동작
① Vt 측정
② NMOS의 I-V 특성 곡선
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회로의 기본원리를 생각하여 =라는 것으로 =, =라는 식이 나올 수 있고, 두 식을 이용하여 라는 식을 이끌어 낼 수 있습니다. 따라서 =이 되므로 실험(4)에 주어진 저항의 값과 검류계의 전류가 0일 때 측정한 가변 저항 값 (4.774 [k])을 대입하여
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회로 설계 및 최적화에 대한 통찰을 제공하였다. 앞으로의 연구에서는 다양한 기판 재질이나 온도 변화에 따른 특성 변화를 추가적으로 분석함으로써 MOSFET의 응용 가능성을 더욱 확장할 수 있을 것으로 기대된다. 1. 실험의 목표
2. 이론
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회로와 Norton 등가회로는 상호 변환이 가능하다.
확인문제 2. 모든 회로는하나의 이상 전압원 와 직렬 저항 로 구성된 등가회로로 나타낼 수 있다는 것을 ( Thevenin 정리 ) 라고 한다.
확인문제 3. 모든 회로는 하나의 이상 전류원 과 병렬저항 으
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