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전압 강하와 소스 전류의 곱으로 나타난다. 가장 이상적인 상황에서는 이 손실이 최소화되지만, 실제 회로에서는 전압과 전류 변동, 그리고 온도와 같은 다양한 요인들이 소모 전력을 증가시킨다. 또한, 출력 신호의 교류 성분이 전력의 소모
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전류에 영향을 주기 때문에 전압의 파형에는 변화를 주지 않았던 것입니다. 그리고 마지막으로 7406 소자를 지나면서 7406 핀 4에서 다시 파형이 반전되는 것을 확인 할 수 있었을 것입니다.
이번 실험은 전체적으로 실험 (1)~(4)는 만족스러운 결
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회로는 녹음시에 CR회로 또는 LC회로를 넣어서 보상하고 저역 보상 회로는 재생시에 CR회로를 넣어서 보상한다.
3. 주파수(Hz)에 따른 입출력 전압의 크기 비 이론값
주파수
(KHz)
2
5
10
차단주파수
13.262
30
50
70
90
0.149
0.352
0.602
0.707
0.914
0.967
0.983
0.9
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회로를 구축한다. 커패시터는 클램핑 기능을 하며, 정류 다이오드와 함께 입력 신호의 DC 오프셋을 조절한다. 다이오드의 방향은 전류의 흐름을 통제하므로, 이를 올바르게 배치하는 것이 중요하다. 소스의 전압이 클램퍼 회로를 통과할 때,
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전류에 의한
자기장이 세지고 역기전력도 커지므로 인덕턴스 L값도 커질 것이다.
2. 결과 및 토의
첫 번째 RC 회로 실험은 오차도 작고 비교적 정확한 결과가 나왔다. RL 회로 실험의 오차는 꽤 크게 나왔는데, 실험과정 보다는 측정과정에서 그
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회로는 입력이 둘 다 0일 때만 출력이 1이 되는 NOR gate , 즉 AND NOT gate 기능을 하는 것이다. 위의 파형은 개형을 알아보는 것이었고 정확한 saturation전압을 알아보기 위해 출력전압 파형을 확대시켜 보니 saturation 전압은 약 14mV임을 알 수 있었다.
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회로의 transient 응답이 느려지고 안정적인 상태로 도달하는 시간이 길어지는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 측면에서 인덕터는 회로의 다이나믹스에 중요한 요소임을 알 수 있었다. PSpice 시뮬레이션을 통해 시각적으로 전압 및 전류의 변화
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회로가 MOSFET의 동작 영역, 즉 벌크, 선형, 포화 상태에 배치되는 방식이 회로의 특성을 어떻게 변화시키는지를 실험적으로 관찰하였다. 실험 결과, 바이어스 전압의 변화에 따라 드레인 전류 및 출력 특성이 확연히 달라지는 것을 확인할 수
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전류 미러의 특성을 개선하는지를 분석할 수 있다. 결과적으로 캐스코드 전류 미러는 전류 전송 정확도를 높이는 매우 유용한 설계 기법으로, 현대 전자 회로 설계에서 필수적인 요소로 자리잡고 있다. 이를 통해 사용자에게 안정적이고 정밀
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회로의 정저항 조건
R =root {L over C}
15. 라플라스 변환과 전달함수의 계산
① 간단한 함수의 라플라스 변환
정의 :
F(s) = [ f(t)] = int _0 ^ inf f(t) e^-at dt
f(t)
를 라플라스 변환하면
F(s)
가 된다. 다음표와 같다.
f(t)
F(s)
delta (t)
1
u(t)
, 1
1 over s
t
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