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회로 일부를 형성하고 있을 때 선간전압과 상전류는 대칭이 된다. 선전류 가 되며, 순서를 abc라 하면, 이 된다. 따라서 대칭 Δ부하에서 선전류는 상전류에 비해 배 만큼 크고 위상은 항상 30 뒤진다는 것을 실험을 통해 확인할 수 있었다. 위의
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어진 실험 회로를 브레드 보드에 구성하라. 저항 R1=200[Ω], R2=330[Ω], R3=470[Ω]을 사용한다.
(2) 직류전원 공급 장치의 출력단 P1을 5[V]로 설정한 다음 실험 회로에 연결하라.
(3) 멀티미터를 전압 측정 모드로 설정하고, 저항 R1, R2, R3에 걸린 전압
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회로를 만든다.
전원 공급장치 4번 단자와 교류 전류계 I1의 한 단자를 접속하고 전류계 I1의 한 단자와 변압기의 1번 단자를 접속하고 변압기2번 단자와 전원 공급장치 5번 단자를 접속시키고 변압기5번 단자와 6번 단자 사이에 교류전압계 E2를
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회로
: 다이오드 도통,
: 다이오드 차단, = 0
입력신호의 진폭이 보다 커야 반파 정류 이루어짐
반파 정류된 출력값의 평균
리미터: 교류 전압의 진폭을 제한
클램퍼: 교류전압을 미리 정한 레벨로 제한
(2) 피이크 역전압 (PIV)
PN 접합 다이
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전압이득은 작아지며 작아지면 이득은 커진다.
☞ : 은 보통 수백이상 이므로 개방회로로 대치
☞ : 의 영향은 무시할 수 있을 만큼 작기 때문에 단락회로로 대치
3. 그림 7.6에서 이 개방된 경우 출력전압은 어떠한 영향을 받는가?
☞ 회로에서
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전압이 증폭기에 인가될 때 행하는 해석으로 증폭기의 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 것이다.
1) 직류해석
≪ 그 림 ≫
(그림 2)
공통-이미터 증폭기 회로에서 커패시터들은 직류를 차단 하기 때문에 증폭기의 직류 해석에
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회로를 보면 = 5V 주파수가 10KHz의 구형파가 TTL소자인 7406에 입력된다. TTL은 BJT방식으로 동작하고 또 출력 전압의 HIGH가 CMOS의 입력 HIGH보다 낮은 경우가 발생하므로 이 부분을 보상하기 위해 PULL UP 저항 15㏀이 사용되었다. 4001핀 1번에 다소 낮
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회로
-브리지회로는 측정 기기와 다른 응용분야에서 널리 사용되는 회로이다.
-브리지회로에 평형을 유지하기 위해서는 가 되어야 한다.
-을 만족할 때, 가 성립한다.
(4)△회로와 Y회로의 상호 변환
-회로 해석에서 필요에 따라 Y(T)회로와 △(
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각각의 저항 R1, R2, R3, R4, R5의 실제 저항값을 측정 기록한다.(R1 = 120 R2 = 100 R3 = 220 R4 = 4.7k
R5 = 120 Vs = 5v)
(2)회로상의 점A와 B,
B와 C, C와 F의 전압을
측정 기록한다.
(3)회로상의점AB 와 BC,
그리고 CF, AD사이에서의
전류를 측정하고 기록한다.
(4)
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전압계의 자체 저항은 매우 커야 하는 이유를 설명하라.
전류계
영구자석의 N, S극 사이에 자유로이 회전되도록 되어 있는 가동코일이 들어 있다.
전류계: 직렬로 연결→회로에 흐르는 전류가 전류계 내부의 코일을 통과하는 순간 힘을 받게
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