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실험의 목표
2. 이론적 배경
가. AD633 집적회로의 개요
나. 주파수 배bling 원리
다. 스펙트럼 분석기 구성
3. 사용 장비 및 재료
4. 실험 절차
가. 실험 1 ? 주파수 배bling 수행
나. 실험 2 ? 스펙트럼 분석기 테스트
5. 실험 결과 분석
가. 실험
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실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 작동원리 및 종류
3) 정전압 다이오드의 원리와 특징
2. 트랜지스터 실험
1) 트랜지스터 종류
2) 트랜지스터의 원리 및 특성
3. OP-amp 실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 반전/비 반전 증폭기의 작동원리
3) OP-amp 의
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실험의 목표
3. 필요한 장비
1) AC 회로 전력 실험 장비
2) 3상 전원 회로 장비
4. 사전 과제
1) 이론적 식의 유도
2) 교류 회로의 전력 개념 설명
3) 전원 측면에서의 역률 중요성 및 개선 방법
4) 3상 전원의 장점 분석
5) 평형 3상 회로의 전압
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실험을 통해 MOS-FET의 동작 원리를 직접 경험하고, 이를 기반으로 한 증폭 회로의 성능을 측정할 수 있었다. 특히, MOS-FET의 특성을 활용해 입력 신호에 대한 출력 신호의 변화를 관찰하면서, 전압 이득, 주파수 응답, 왜곡 등의 중요한 파라미터
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실험에서 전압표를 완성하는 것과 CRO로 파형을 보고 그래프지에 그리느 두가지 실험을 행한다. 전압표를 채울 때는 표에 지정된 위치에서의 전압을 CRO롤 측정해야한다. 각 실험마다 SWG로부터 입력을 받을때는 CRO로 지정된 위치에서 그 파형
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회로의 동작과 부합함을 확인하였다. 실험 결과를 통해 능동부하의 중요성과 공통 소오스 증폭기의 응용 가능성을 강조할 수 있었다. 이러한 분석은 후속 연구에 있어 더욱 향상된 증폭 회로 설계와 실험적 접근을 위한 기초 자료로 활용될
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전압 출력을 내지 못한다.
3) 일반적으로 SWEEP RATE, SWEEP WIDTH 나 TTL 조정 장치는 꺼져 있는 상태여야 실험을 용이하게 할 수 있다.
3. 사용기기 및 재료
① 오실로스코프 1EA
② 신호 발생기 2EA
③ Capacitor 104 2EA
④ Resistor 1k 2EA 1.실험제목
2.실
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결핍층
4. 전위장벽, 바이어스
5. 순방향 바이어스
6. 역방향 바이어스
7. 다이오드 방정식
8. 다이오드 등가회로
9. 정류
10. 반파 정류기
11. 전파 정류기
12. 브리지 정류기
13. 정류필터
14. 맥동률
실험 방법
회로도
시뮬레이션 결과
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전압을 얻어내거나 회로 설계 시 흐름 방향을 설정해 줄 수 도 있는 것을 알 수 있었다. 또한 다이오드는 일정 전압이상 올라가지 않는 다는 것을 알 수 있었다.
실험 3은 발광 다이오드의 각 색별로 발광하기 위한 최소전압을 알아보았다. 발
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뿐만 아니라, 자신이 어떤 부분에서 이해가 부족한지를 자각하게 하여 학습의 방향성을 잡는 데 큰 도움이 된다. 1. 실험
2. 실험 개요
3. 실험 장비
4. 이론적 배경
5. PSpice 시뮬레이션 회로
6. 실험 절차
7. 예비 보고 사항
8. 퀴즈
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