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74V
0.7g
3281.14V
0.8g
3507.68V
0.9g
3720.46V
1.0g
3921.71V
[표 2-12] 무게 변화량에 대한 정전기 전압 값
위의 설계 결과는 다음과 같은 오차가 있다.
오차 1. 정전기 전압의 수치를 소수점 셋째자리에서 반올림 하였다.
오차 2. 미량저울의 눈금 단위가 소수
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1999, pp9~10
[7] 임승철, 용대중, 유연한 수평 다관절 로봇의 진동제어, 한국소음진동공학학회지 7권 제 3호, 1997, pp 387~392 1. 서 론
2. 시스템 구성 및 설계
2.1 시스템의 동작
2.2 시스템 구성도
2.2.1 마이크로프로세서 구동회로
2.2.2 센서와
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1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3
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실험 결과
<그림Ⅲ-7> FCHEV 시뮬레이터에서 배터리 SOC 실험 결과
<그림Ⅲ-8> FCHEV 시뮬레이터의 연료전지 전류 실험 결과
식 목 차
(식 Ⅲ-1)
(식 Ⅲ-2)
(식 Ⅲ-3)
(식 Ⅲ-5)
(식 Ⅲ-6)
(식 Ⅲ-7)
(식 Ⅲ-8)
(식 Ⅲ-9)
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실험을 통해서 경험한 것이 시사하는 바를 되짚어 보면서 앞으로의 연구에 타산지석으로 삼고자 한다.
참 고 문 헌
1) http://www.kmib.co.kr
2) (이구형. 1996)
3) 한국감성과학회지 1(1), 13~17, 1998.
4) www.naver.com
5) www.nate,com
6) www.yahoo.com
7) http://blog.nave
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