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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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실험 내용
- PSpice를 이용한 회로 시뮬레이션
- RC, RL 직렬 및 병렬회로
- 노턴의 정리
- 미분회로와 적분회로
- 옴의 법칙
- 인덕터
- 전압 배율기와 전류 분류기
- 중첩의 원리
- 직렬과 병렬
- 최대전력 전달조건
- 커패시터
- 키
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실험은 직접적인 회로구성이 없었고, 계산값, 이론값으로만 이루어져서, 큰 어려움없이, 오차없이 진행되었다. 그 전에 사용하던 시뮬레이션 프로그램이 바뀌면서, 다른점을 접하게 되었으며, 약간은 달라진 방법이었지만, 사용함에 있어서
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3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. RL 및 RC병렬회로
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생성한다. 이것은 실험을 통해 기본적으로 알게된 사실이며 또한 그림1의 미분기 회로에서 입력단에 Rs의 저항을 연결하였는데, 이것의 사용의 목적은 입력단을 통해 들어오는 noise를 방지하여 안정된 입력신호를 확보하기 위한 것이라는 것
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회로로 구성된 저역통과필터이므로 20dB/decade의 두배인 40dB/decade(6dB/octave의 두배인 12dB/octave)의 기울기를 가지고 감소하게 된다. 결국 답은 -12dB/octave가 된다.
5. 차단주파수가 500Hz이고 필터의 입력신호가 3000Hz이면 dB 응답은 얼마인가?
(a) -3dB(b)
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실험 34장에 대한 복습문제
1. 그림 34-1의 대역통과필터에서 중심주파수는 약 얼마인가?
(a) 350㎐(b) 500㎐
(c) 625㎐(d) 740㎐
⇒
결국 740Hz이다.
2. 그림 34-1의 회로에 대한 Q값은 대략 얼마인가?
(a) 2(b) 4
(c) 6(d) 8
⇒
결국 4이다.
3. 필터의 중심주파수
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IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 20장에 대한 복습문제
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회로와 비슷하게 나옴을 예상할 수 있었다. 그리고 우리조는 실험중 바이패스 캐패시터만 제거하여 실험을 하였는데 바이패스 캐패시터를 제거하였을 경우 전압이득이 정상회로에 비해 무척이나 감소함을 알 수 있었다.
실험 22장에 대한 복
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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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