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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
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[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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MOSFET 를 어떻게 사용하느냐에 따라 DC 게인을 조절 할 수 있다는 것을 실험을 통해 알수 있었다.
< 5. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교
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회로에서는 다이오드의 성질에 의해 중첩의 원리가 성립되지 않을것이라고 예상할수 있다.
또한 다른 실험책을 찾아보면 중첩의 원리를 실험 하기에 앞서 선형회로라는 전제조건을 주는것도 있음을 확인 할 수 있었다.
참고서적 : 전기전자
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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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바이어스.
그림(c). 공급전압을 위쪽으로, 접지를 아래쪽으로 그린 그림.
그림 (c)
From 그림 (c),
RIN(base) βDCRE
베이스에서 바라본 전체저항 = R2∥βDCRE
∴ VB = VEE
또, VE = VB + VEB,
IE = ,
VC = RCIC
VEC = VE - VC
▒자료출처: 기초전자회로실험 (인터비젼
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