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회로로 커패시터에 축적된 에너지가 과 가 교대로 출력되어서 출력단에서 정현파를 얻을 수 있도록 하는 역할을 한다고 할 수 있다.
(4) 실험시 어려웠던 점이나 건의할 내용은 무엇인가?- 없음.
실험에 있어 가장 큰 오차값을 보인 것은 출력
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(2) 가변 저항을 이용하여 PWM 신호를 제어한다.
(3) 오실로스코프를 이용하여 제작된 회로의 상태를 점검한다.
(4) 제작된 회로가 주어진 설계 목적을 만족하는지 살펴본다.
(5) 제어 입력에 따른 출력 회전 속도를 10회 이상 측정하고 오차를 계
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회로 구성에는 몇 번을 확인해 봐도 이상이 없었지만, 이러한 오차가 발생한 이유는 아무래도 브레드 보드의 문제거나, CA3046 소자에 이상이 있어 이러한 값이 나타난 것 같다. 이번 실험에서는 저번 실험과 다르게 예비보고서에서 실행한 시
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회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하는 파형으로 이 무한대의 크기를 가지며 가 를 초과하여 증가하면서 의 크기가 감소하는 것을
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회로를 구성하는 것이었다. 회로를 구성한 후 값을 측정하였는데, 이론 상 이 값은 약 30uA정도가 나와야하며, 실험에서도 이와 비슷한 37.35uA가 나온 것을 확인할 수 있다. 약간의 오차가 발생한 것은 서로 정합되지 않은 MOSFET을 이용하여 회로
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3 V
g. VO를 측정하고 순서 4(f)의 결과와 비교하라.
VO (측정값) = 0.58 V
5. 브리지 구조
a.다음 회로를 구성하고 저항값 들을 측정하고 기록하라.
R1(meas) = 0.98kΩ
R2(meas) = 2.14kΩ
R3(meas) = 2.14kΩ
b. 순서 1에서 측정한 두 다이오드의 문턱전압을 이용하여
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회로도
-오른쪽 위의 결과표를 보면 옴의 법칙을 완전히 일치하지는 않지만 근사적으로 일차 한다. 예를 들어 직렬 연결된 5㏀저항을 보면 V=IR이므로 5㏀ * 0.61㎃ 은 3.05V 가 나와야 하지만 실제 측정된 값은3.0421V 이며 0.0079V 의 차이는 아주 작
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shift : Bus Wire )
Text Tool : 글자를 입력할 때 사용
Delete Tool : 무엇이든 지울 수 있다.
Zoom Tool : 화면의 크기를 조절할 때 사용 ( + shift : 줄이기 )
Rotate 90 : 선택된 회로장치를 90°회전시킴
Mirror : 선택된 회로장치를 반전시킨다.
Reset, Run/Stop
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의해 R4에 흐르는 전류는 3I1이 된다. V2,V3가 쇼트났다고 치고 V1이 R1,R4 직렬연결로 되어있는 회로에 공급한다고 생각하면 VR1+VR4=V1이 되야 한다. 따라서 I1*3k+3I1*3k=1V로 I1은 0.083mA가 나오는 것이다. 따라서 A전압은 전압강하에 의해 1-0.083*3=0.75mV가
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[V]
8.201 [V]
9.427 [V]
9.583 [V]
9.746 [V]
① (= 100으로 가정)
②
③
④
⑤
실 험 결 과
<표 6-3> 전압분배기 바이어스회로 실험결과 기록표
측 정 량
측 정 값
이 론 값
트랜지스터
트랜지스터
1.932 [V]
2.05 [V]
1.254 [V]
1.35 [V]
2.67 [mA]
2.87 [mA]
5.3 [V]
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