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전자농도(ni)=가전자대 정공농도(pi)
진성반도체 Fermi에너지 준위를 진성 Fermi 에너지 EF=Efi
(Eg : 밴드갭 에너지)
따라서 진성 캐리어 밀도 이다.
옴의 법칙에 의해 이고 드리프트 전류를 일반화하면
다시 정리하면 = = = 5.075 × 1015/m3
15.
14번과 마
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전자들은 실리콘/게이트 산화막의 경계면 쪽으로 이끌리게 되며 플로팅 게이트 아래에 n채널이 형성된다. 소스/드레인 으로부터 온 전자들은 이 채널을 통해 이동할 수 있으며 전기적인 전류를 전달한다. 비록 대부분의 전자들은 채널을 통해
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제3장 다이오드 정류회로
3-1 ⅰ)
ⅱ)
3-2 (a)
(b)
(c)
3-3 (a)
(b)
3-4 ⅰ)
ⅱ)
3-5 (a) 은 3상 반파정류 회로의 출력전압 평균값과 같으므로
(b)
(c)
3-6
3-7 (a)
(b)
(c)
3-8
3-9 (a)
(b)
(c)
3-10 (a)
(b)
(c)
제4장 위상제어 정류회로
4-1 (a)
(b)
(c)
4-2 (a)
(
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(b) 그림참조
(c)
2-20는 MOSFET 내부의 느린 특성의 다이오드이며, 는 MOSFET에 별
도로 추가되는 고속의 다이오드이다.
로 흐르려는 전류는 으로 차단되고, 그 전류는 로 흐른다. 즉, 에는 전류가 흐를 일이 없다. [다음 그림 참조] 연습문제
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A와 B를 직렬접속 할 때 그 합성정전용량은 1.2, B와 C를 직렬접속 할 때 그 합성정전용량은 1.5, A와 C를 직렬접속 할 때 그 합성정전용량은 2.0 였다면 A, B, C의 정전용량은 각각 얼마인가?
☞ ① ②
③ =
③를 ①에 대입 :
위에서 얻은 식을 ②식
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